【产品】沟槽式N沟道MOSFET RM5N30S6，适用于小功率开关和负载开关应用
RM5N30S6是丽正国际推出的高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，它为大多数小功率产品提供了出色的RDSON和效率，适用于大多数的小功率开关和负载开关应用。RM5N30S6符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认证。
RM5N30S6采用SOT-23-6封装，漏源击穿电压为30V（VGS=0V , ID=250uA） ，RDS(ON) 小于 28mΩ @ VGS=10V ID=5A，小于 40mΩ @ VGS=4.5V ID=4A， 连续漏极电流5A @Ta=25℃，存储和工作结温范围-55 to +150℃。
引脚分配及封装图
特性
绿色器件可选
超低栅极电荷
优异的CdV/dt效应下降
先进的高单元密度沟槽技术
无卤素
绝对最大定值
热数据
包装及订购信息
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