【产品】-100V/±13A P沟道功率MOSFET RD3P130SP，可用于开关类应用
罗姆(ROHM)推出的一款P沟道功率MOSFET RD3P130SP，静态漏源导通电阻最大值仅为200mΩ，可有效降低产品的导通功耗，具有低导通电阻和开关速度快的特点。且驱动电路很简单，易于并联使用，是开关应用领域的优秀选择。
图1 RD3P130SP功率MOSFET产品图及内部电路图
RD3P130SP功率MOSFET漏源电压额定值为-100V，连续漏极电流额定值为±13A，栅源电压为±20V。栅-源漏电流IGSS最大为±10μA，栅极阈值电压的最大值为-2.5V，低控制电压简化了数字驱动控制电路的设计。且该MOSFET最大结壳热阻为6.25℃/W，散热性能优异。工作结温和存储温度为-55℃~+150℃，满足军工级用品温度需求。
RD3P130SP功率MOSFET产品特性：
低导通电阻
开关速度快
驱动电路很简单
易于并联使用
无铅电镀；符合RoHS标准
RD3P130SP功率MOSFET应用领域：
开关类应用
RD3P130SP功率MOSFET订购信息：
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