【产品】浪涌电流6.0A的硅开关肖特基二极管裸片，专为需要高电流能力的应用而设计
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商，Central推出的CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001是硅开关肖特基二极管裸片，专为需要高电流能力的应用而设计。它们的实物如图1所示，具有高耐压、大电流以及低正向压降等优点。
图1 CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001硅开关二极管的产品示意图
在工作温度为25℃的条件下，CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001硅开关二极管具有高电压特性，其反向持续工作电压最大额定值分别为90/120V。它们的正向持续工作电流IF最大额定值分别为250/400mA。CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001的正向重复峰值电流IFRM最大额定值分别为600/800mA，它们的正向峰值浪涌电流IFSM在tp=1.0μs的条件下，最大额定值均为6.0A。它们的工作温度和存储结温范围为-65至+150°C，操作结温最高额定值为150℃，可保证其在恶劣的温度环境下正常运行。
在工作温度为25℃的条件下，CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001硅开关二极管的漏电流在反向电压为90V的条件下，最大值均为100nA，泄露电流所造成的危害较小，从而能够较好的保护敏感设备。在正向电流为10mA时，它们的正向压降最大值均为0.75V；在正向电流为400mA时，它们的正向压降最大值均为1.25V，具有低正向压降特性。CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001的结电容CJ在VR=0，f=1.0MHz的条件下，最大值均为35pF。
CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001硅开关二极管的反向恢复时间有所不同，在IR=IF=30mA, Irr=3.0mA, RL=100Ω的条件下，最大值分别为50/60ns。在IR=IF=10mA, Irr=3.0mA, RL=100Ω的条件下，CPD89V-CMPD5001的反向恢复时间最大值为50ns。
图2 CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001硅开关二极管的典型电气特性图
CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001硅开关二极管的机械参数
·裸片尺寸12.8x12.8MILS
·裸片厚度7.1MILS
·阳极焊盘尺寸5.1X5.1MILS
·晶圆直径5英寸
CPD89V-CMPD1001和CPD89V-CMPD5001硅开关二极管的主要运用领域
·需要高电流能力的应用
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