【产品】24pF低Crss的N沟道增强型MOSFET RMP10N65
丽正国际推出的RMP10N65是一款N沟道增强型MOSFET，采用自对准平面工艺和改进的端子技术，可减少传导损耗，提高雪崩能量。在TC =25°C时，RMP10N65漏源电压最大额定值为650V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为9.5A，工作时结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为62.5℃/W。RMP10N65封装类型如图1所示：
图1 RMP10N65产品封装
RMP10N65产品特性
•RDS(ON)=0.73Ω Crss= 24pF
•低Crss
•低栅极电荷
•高开关频率
•提升ESD能力
•优秀的dv / dt性能
•100％雪崩能量测试
RMP10N65应用领域
•高效率开关电源
•电子灯镇流器
•UPS
RMP10N65订购信息
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