【产品】高散热300W CVD钻石负载CT2010D,RF大功率应用必备
EMC RFLABS是国际公认的薄厚膜RF和微波电阻性器件、信号分配产品及电缆组件研发与生产的领导者,其产品广泛应用在电信、军事、广播设备、空间、航空航天、医疗设备和测量市场等领域;同时还是射频微波终端负载的重要供应商之一,拥有钻石射频负载专利产品。这些负载经过优化后有极低的驻波比,可应用于宽频带应用,部分元件的功率容量能够达到1 KW,最大频率高至28 GHz。
其中,以EMC RFLabs最新推出的CVD钻石芯片负载CT2010D为例,其具有体积小,重量轻,高频性能好,承受功率高等优点,广泛应用在广电系统、高功率滤波器和功放模块、基站设备、隔离器、卫星通信以及相控阵雷达等各种场合。
图1:CT2010D的外观图
超强的信号传输能力
CT2010D是一款小封装、高散热、高额定功率的CVD钻石芯片负载,标称电阻值为50Ω,属于人造钻石系列,与传统的AIN、BeO材料相比,具有更高的可靠性、导热系数和工作频率;在相同封装的条件下,可以实现更大的功率容量,散热性能也更好。CT2010D可用于工作频率为12GHz的应用设计,能够承受300W的连续波功率;在测试脉冲宽度为1μs、占空比为1%的情况下,峰值功率可达6000W。该产品的电压波驻比低至1.30:1(DC-6GHz)和1.40:1(6-12GHz),作为负载有着良好的功率匹配,有利于提高馈线的信号传输效率。工作和储存温度范围均在-55°至+150°C之间,温度系数最大为±200 PPM/°C,是大功率、宽频率响应、小型化产品设计的理想选择。
可靠的封装和质量保证
CT2010D采用TaN薄膜结构制成,并在端口处镀金。全薄膜设计十分适用于高峰值功率应用,整体结构的材料分布如下表1所示,引线采用接合和软焊接两种方式。CT2010D的可靠性测试符合MIL-PRF-55342标准,同时满足无铅要求,符合RoHS标准以及S-level认证。另外,该产品还具有可靠的质量保证:根据ANSI/ASQC Z1.4通用的检测方法进行采样,实验结果达到Level II,可接受质量水平(AQL)达到1.0%,同时产品的外观、机械结构检测结果与设计图保持一致,直流电阻测量结果保留标准数据50 Ω ± 5%。
表1 :CT2010D的材料结构
CVD钻石芯片负载CT2010D的特点:
• 体积小、重量轻
• 超强的散热性能
• 优秀的峰值功率承受能力
• 坚固的TaN薄膜工艺
• 低吸湿率
• 纯金的输入焊盘
• 引线接合和软焊接两种方式
• 面向大功率应用
CVD钻石芯片负载CT2010D的目标应用:
• 广播
• 大功率滤波器
• 大功率放大器
• 仪器仪表设备
• 隔离器
• 军用设备
• 卫星通讯设备
• 相控阵列雷达
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型号- 82 7013TC,83 XXXXTC,32 1209,33 1052,83 7017TC,12 系列,D3PP20F,HPR2F,33 1050,CR0402D,DS15D10,SMT2010TALN,32 1200,32 1201,82 3003TC,81 7042,32P7201F,31 7021,81 3012B,SMTXXXXX,HE298MF,WH0530TF,12-0101,12-0102,13-125-T,CT2335A,82 7001TC,X3C09P2-03,XC3500P-03S,81 7021TC,33 1041,83 7006TC,4113P,33 1042,QTVA,32 1212,82 3038TC,AN,32 1213,81 3001B,81 3001A,81 3033TC,42TVA,CRXXXXD,DS15D20,CA0505D T,1M803S,4112P,HPQ2F,H88-108-600,42KA,P2D50J,DN05W20F,811,812,82 系列,49XX,83 1001TC,4111P,82 7025TC,CT2525ALN,HML2F,SD055-055-4-A,SD055-055-4-B,SD065-035-3-B,5654 XXX,5,MTVAS,82 3039TC,81 7031,32 1111,1E1305-3,32 1117,81 3011B,81 3011A,5 系列,5308 XXX,5,CT,81 7028,XC1900E-03S,31 7008,31 7006,5660 XXX,5,823,827,82 7002TC,CT2010ALN,HPP2F,HN05W03F,5XXXXXXX,HRM,CT系列,X3C09P1-03,32 1002,32 1123,32 1121,HRT,83 3005TC,32 1001,32 1122,D3PPXXF,SD130-105-4-040,32 1006,32 1007,32 1004,32 1005,82 3001TC,82 7166TC,81 3001TC,CT3725,HTVA,33 1009,33 1005,33 1006,32-1003,33 1003,12-250-T,33 1004,4110J,CT2335TALN,33 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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
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