【产品】高散热300W CVD钻石负载CT2010D,RF大功率应用必备

2016-07-30 世强
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EMC RFLABS是国际公认的薄厚膜RF和微波电阻性器件、信号分配产品及电缆组件研发与生产的领导者,其产品广泛应用在电信、军事、广播设备、空间、航空航天、医疗设备和测量市场等领域;同时还是射频微波终端负载的重要供应商之一,拥有钻石射频负载专利产品。这些负载经过优化后有极低的驻波比,可应用于宽频带应用,部分元件的功率容量能够达到1 KW,最大频率高至28 GHz。


其中,以EMC RFLabs最新推出的CVD钻石芯片负载CT2010D为例,其具有体积小,重量轻,高频性能好,承受功率高等优点,广泛应用在广电系统、高功率滤波器和功放模块、基站设备、隔离器、卫星通信以及相控阵雷达等各种场合。


           

图1:CT2010D的外观图

                                                 

超强的信号传输能力
CT2010D是一款小封装、高散热、高额定功率的CVD钻石芯片负载,标称电阻值为50Ω,属于人造钻石系列,与传统的AIN、BeO材料相比,具有更高的可靠性、导热系数和工作频率;在相同封装的条件下,可以实现更大的功率容量,散热性能也更好。CT2010D可用于工作频率为12GHz的应用设计,能够承受300W的连续波功率;在测试脉冲宽度为1μs、占空比为1%的情况下,峰值功率可达6000W。该产品的电压波驻比低至1.30:1(DC-6GHz)和1.40:1(6-12GHz),作为负载有着良好的功率匹配,有利于提高馈线的信号传输效率。工作和储存温度范围均在-55°至+150°C之间,温度系数最大为±200 PPM/°C,是大功率、宽频率响应、小型化产品设计的理想选择。


可靠的封装和质量保证
CT2010D采用TaN薄膜结构制成,并在端口处镀金。全薄膜设计十分适用于高峰值功率应用,整体结构的材料分布如下表1所示,引线采用接合和软焊接两种方式。CT2010D的可靠性测试符合MIL-PRF-55342标准,同时满足无铅要求,符合RoHS标准以及S-level认证。另外,该产品还具有可靠的质量保证:根据ANSI/ASQC Z1.4通用的检测方法进行采样,实验结果达到Level II,可接受质量水平(AQL)达到1.0%,同时产品的外观、机械结构检测结果与设计图保持一致,直流电阻测量结果保留标准数据50 Ω ± 5%。


CT2010D的材料结构

表1 :CT2010D的材料结构


CVD钻石芯片负载CT2010D的特点:
体积小、重量轻

超强的散热性能

优秀的峰值功率承受能力

坚固的TaN薄膜工艺

低吸湿率

纯金的输入焊盘

引线接合和软焊接两种方式

面向大功率应用

CVD钻石芯片负载CT2010D的目标应用:

广播

大功率滤波器

大功率放大器

仪器仪表设备

隔离器

军用设备

卫星通讯设备

相控阵列雷达

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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品牌:Smiths Interconnect

品类:射频电阻

价格:¥26.4066

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