【产品】漏源电压为30V的N沟道功率MOSFET器件RU3040M3，存储温度-55℃~+150℃
深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业。其推出的N沟道功率MOSFET——RU3040M3，采用DFN3333封装，其漏源电压VDSS为30V，栅源电压VGSS为±20V，连续漏极电流ID为40A（安装于大型散热片上，VGS=10V，TC=25℃），存储温度范围为-55℃~+150℃，漏源导通电阻的典型值为5mΩ（VGS=10V, IDS=25A），总栅极电荷Qg的典型值为15nC（VDS=24V，VGS=10V，IDS=25A）。该器件经过100%雪崩测试 ，可提供无铅和绿色环保器件，符合RoHS标准，可用于服务器的板载电源和同步整流等。
产品特点
• 30V/40A
• RDS (ON) =5mΩ(典型值)@VGS=10V
• RDS (ON) =6.5mΩ(典型值)@VGS=4.5V
• 超高密度单元设计
• 切换速度快
• 低栅极电荷
• 100%雪崩测试
• 提供无铅和绿色环保器件（符合 RoHS 标准）
产品应用
• 开关应用系统
• 服务器的板载电源
• 同步整流
绝对最大额定值
产品订购信息
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产品型号
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品类
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Channel
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ESD Diode (Y/N)
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VDSS(V)
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VTH(V)
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IDS(A)@TA=25℃ (A)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
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Package
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RU207C
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MOSFET
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N
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N
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20
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0.5-1.1
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6
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10
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15
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SOT23-3
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选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
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