【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS，采用平面条形VDMOS技术

时间： 2023-05-31 来源：HI-SEMICON

代理服务

技术支持

批量订货

N沟道增强型功率场效应晶体管,N沟道增强型功率MOSFET,N沟道功率MOSFET,SFF5N50TS

SFF5N50TS/SFD5N50TS是HI-SEMICON推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装，适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。

产品特点

V_DS=500V，I_D=5A

漏源导通电阻R_DS(ON)：

典型值：1.28Ω @V_GS=10V I_D=2A

最大值：1.6Ω

应用

功率因数校正（PFC）

开关电源（SMPS）

不间断电源（UPS）

LED照明电源

绝对最大额定值参数（T_J=25℃，除非特别说明）:

电气参数

注：

1.脉冲宽度受最大结温限制

2.L=40mH,I_AS=2.8A,V_DD=100V,V_G=10V,R_G=25Ω,起始T_J=25℃

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

4.基本上与工作温度无关

订购信息

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Vicky翻译自HI-SEMICON，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】60V/200A N沟道增强型功率MOSFET RU6199R，可用于汽车，SMPS的高效同步等领域

RU6199R是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，该产品可靠、坚固、无铅环保，可应用于汽车，SMPS的高效同步、高速电源等。

2022-04-08 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】500V/3A的N沟道增强型MOSFET SFX3N50，采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装

SFF3N50/SFD3N50是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装，适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。

2023-05-16 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】85V 135A N沟道功率MOSFET SGX855R0T，导通电阻最大5.5mΩ

HI-SEMICON推出的85V 135A N沟道功率MOSFET SGX855R0T采用先进的屏蔽栅极沟槽（SGT）技术制造，具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率密度和出色效率的应用中。

2023-03-03 - 产品代理服务技术支持批量订货

HI-SEMICON高压功率MOSFET选型表

HI-SEMICON提供高压功率MOSFET以下参数选型，VDS[max] (V)：55~1500V，ID[max](25℃) (A)：1~110A

RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)

选型表 - HI-SEMICON 立即选型

SFAP4580 N沟道和P沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了SFAP4580双极型增强型MOSFET的特性，包括其N沟道和P沟道的电气参数、热特性、开关特性以及源漏二极管特性。这些信息适用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明等领域。

型号- SFAP4580

2021/3/5 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持批量订货

SFX20N70 20A，700V N沟道功率MOSFET

描述- SFX20N70是一款20A、700V的N-Channel增强型功率场效应晶体管，采用先进技术制造，旨在降低导通电阻，提供优异的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。

型号- SFX20N70,SFF20N70,SFP20N70

2023/6/6 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

SFD5N50TS 5A，500V N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Hi-semincon公司生产的SFD5N50TS型号N-Channel增强型功率场效应晶体管。该晶体管采用Hi-semincon专有的平面条纹VDMOS技术制造，具有500V的漏源电压和5A的漏极电流。主要特性包括低导通电阻和适用于电源因子校正（PFC）、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明电源等应用。

型号- SFD5N50TS

2023/11/15 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 2.0 代理服务技术支持批量订货

SFU4N65E 4A，650V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了Hi-Semicon公司生产的SFU4N65E 4A, 650V N-Channel功率MOSFET。该器件采用Hi-Semicon专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和承受高能脉冲的能力。适用于高效开关电源、主动功率因数校正和基于半桥拓扑的电子镇流器等应用。

型号- SFU4N65E

2023/7/19 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.1 代理服务技术支持批量订货

SFD5N50L 5A，500V N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Hi-semincon公司生产的SFD5N50L型号N沟道增强型功率场效应晶体管。该晶体管采用Hi-semincon专有的平面条带VDMOS技术制造，具有500V的漏源电压和5A的漏极电流，适用于功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明电源等领域。

型号- SFD5N50L

2023/12/21 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持批量订货

SFQ0420T4 N沟道和P沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了SFQ0420T4型互补增强型MOSFET，该器件采用TO-252-4L封装，具有优异的导通电阻和低栅极电荷。它适用于多种应用，包括功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明电源。

型号- SFQ0420T4

2021/3/16 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持批量订货

SFD1N65 1A，650V N沟道功率MOSFET

描述- SFD1N65是一款650V、1A的N-Channel增强型功率MOSFET，具有优异的开关性能和承受高能量脉冲的能力。该产品适用于电源因子校正（PFC）、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明电源等领域。

型号- SFD1N65

2023/11/20 - HI-SEMICON - 数据手册 - Rev 1.0 代理服务技术支持批量订货查看更多版本

【产品】上海贝岭推出硅N沟道增强型功率MOSFET BLS65R380，适用于高频开关电源

BLS65R380是上海贝岭推出的一款硅N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超结技术，可降低导通损耗，提高开关性能。该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用场合。

2022-02-20 - 新产品代理服务技术支持批量订货

SFD7N65TS 7A，650V N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Hi-Semicon生产的SFD7N65TS型号650V N-Channel增强型功率场效应晶体管。该器件采用平面条纹VDMOS技术制造，具有650V的漏源电压和7A的电流额定值。主要应用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LED照明等领域。

型号- SFD7N65TS