【产品】国产5V单线双向低电容TVS二极管SEH0501P0，结电容典型值为3pF，反向漏电流最大值为0.1µA

时间： 2022-05-29 来源：萨瑞微电子

技术问答

萨瑞微电子推出的一款5V单线双向低电容TVS二极管 SEH0501P0，利用先进的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性，使该器件成为保护对电压敏感的数据和电源线的理想解决方案。

绝对最大额定参数和电气特性方面，当T_A=25℃时，器件峰值脉冲功率为47W@tp=8/20μs，其结电容典型值为3pF@VR=0V,f=1MHz，最大值为3.5pF@VR=0V,f=1MHz，反向漏电流最大值为0.1µA@V_RWM=5.0V，产品符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可提供±15kV空气放电和±8kV接触放电的ESD防护等级，工作温度范围为-55℃~+125℃，器件采用DFN0603-2L小尺寸封装且具有高ESD浪涌保护能力，符合RoHS标准，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想选择方案。其尺寸和引脚配置如下图所示：

产品特点

低结电容（典型值：3pF）
工作电压：5V
低钳位电压
2引脚无引线封装
符合RoHS标准

机械特性

封装：DFN0603-2L(0.6X0.3X0.3mm)
引脚处理：雾锡
外壳材料：绿色环保塑封
阻燃等级UL 94V-0
湿敏度：3级（J-STD-020标准）

产品应用

手机及配件
个人数字助理
笔记本和手持设备
便携式仪器、数码相机、外围设备
音频播放器、键盘、侧键、USB 2.0、LCD显示屏

绝对最大额定参数（T_A=25℃，RH= 45%-75%，除非另有说明）

电气特性（T_A=25℃）

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萨瑞微电子（SALLTECH）ESD保护器件选型表

描述- 公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。

型号- SEN1821D3,SEU0524PC,SEN0501D3,SEN0501D5,SEN1201P1,SEN1201P0,SES2411P6,SES2411P1,SEN1531D5,SEN3321P1,SEL0521D5,SES2411P4,SES2011P4D,SEN0522P1,SEN0512S2,SEN0512S4,SEU0501P0,SEL1211S2,SEU0501P1,SES0521P1,SEN0512S9,SEN0731D5,SEN0802S2,SEN3612S2,SEU0512P1S,SES0701P1,SEN2411P1,SEN2411P0,SES4521D3,SEH0532P1,SEP3011P6,SEU3301P1,SEU3301P0,SEL0532S2,SEN3301D5,SEN0551D5,SEN3611P1,SEN3301D3,SEH0511D5,SEL3314P8,SES0501D3,SEN3312S2,SES0501D5,SEU1511D5,SEP1011P6,SEN1231D5,SEN3601D3,SEN2401P0,SES2011P1,SEP4511P6,SES4511D3,SEP0501P6,SES2011P4,SEU3324PC,SEH0801D3,SEU3311P1,SES3301D5,SEN0701P1,SEN0701P0,SES3031P4,SEN2401P1,SEN2414S2,SES2631P4,SES1011D3,SEN0502S2,SEN2402S2,SEN1551P1,SES0511P1,SEH2401P6,SES0511P4,SEU2401P0,SEU2401P1,SEN0812S2,SEN1212S2,SES0521D3,SM3612S2,SEL0502P1,SEU0501D5,SES1511P4,SES1511P6,SEP0711P6,SEH1201D3,SEN0501P0,SEL3301P1,SEN1211P6,SEN1211P1,SEN1811D5,SEU1501D5,SEP4831PD,SEU1512SD,SEN4501D5,SEN3611D5,SEN3302S2,SEP4551P1,SEN3611D3,SEU0511P1,SES0531P1,SEH0511P0,SEN1531P1,SEN2001D1,SEH1501P6,SEL0514S5,SEN0711P6,SEL0514S2,SEL0501P0,SEL0501P1,SEH3301D3,SEN0811D3,SEL0541D5,SEN3301D5-1,SEN3301P0,SEN0811D5,SEH0512S4,SEN2412S2,SEH0801P6,SEN0515S3,SEN0502P1,SEH0512S2,SEU1511P1,SEU0521P0,SEU0518PB,SEH0501D3,SEN2401D3,SEN0531D5,SEP2011P6,SES0511D3,SEN1202S2,SEH0512S9,SEU1211D5,SEP4501P4,SEP4501P6,SEU3324PCS,SEN0701D5,SES1011P4,SEN2401D5,SPH0603H30,SEH0504S6,SEN1211D3,SES1511D3,SEU1201D5,SEN2432S2,SEU0521P1S,SEN1211D5,SEN2011D1,SEN4501P1,SES0711D3,SEP2411P6,SES0531D3,SEN1512S2,SEL0502S4,SES3011P4,SEU0501P1-C,SEP1211P6,SEH3301P6,SEN1811P1,SEN1501D5,SEN1501D3,SEH0503S1,SEU1501P1,SEN1811P6,SEN2411D3,SEN1221P1,SEN2411D5,SEU0504PC,SEN2701D3,SES2431P4,SEN1511D3,SES1211D3,SEH1501D3,SEL0501D3,SM712,SEU2411D3,SEU2411D5,SEH0514S3,SEN0532S4,SEN0532S9,SEN1801P1,SEL0501D5,SEH0501P1,SES0541P1,SEH0501P0,SEN1511D5,SEN0711D5,SEN1801P6,SEL3321P1,SEN0711D3,SEU1211P1,SEU1211P0,SES1811P4,SES4501P4,SEU3304PC,SEL0524S2,SEN1521P1,SES4501P1,SEH0501P6,SEL3301D3,SEN2431P1,SEN1201D5,SEN1802S2,SEN1201D3,SEU3312P1S,SES0711P4,SEU1201P1,SEU1201P0,SES0711P1,SEN2431D3,SEN1502S2,SEH1521D3,SEH3321D3,SES3311P1,SEL2501P1,SEP2411D1,SES3311P4,SES2411D5,SEL4501P6,SES2411D1,SEU3301P0-C,SEU3304PCS,SES2411D3,SEH2422S2,SEL0501P1-1,SEN0511D3,SEN0511D5,SEN1501P1,SES3011D3,SEL0201P0,SEN3301DBH,SEN0522S4,SEN1221D5,SEN0522S9,SEL2011P6,SEL0521P1,SEL0511S2,SEN1511P6,SES4511P4G,SES4511P4,SEN1511P1,SEH2401D3,SEH3301D3-1,SEU0501P0-C,SEN2501P1S,SEN0521P1,SES0501P0,SES0501P1,SEN3311D5,SEN1511PM,SEN3601P1,SEU2411P0,SES1211P4,SEU2411P1,SEN3311D3,SEN1831D3,SEN1231P1,SPH0603H24,SEL0541D5-1,SEP3311P6,SEH1201P6,SEH0516S8,SEP4531P1,SEU2401D3,SEH1201P1,SEU2401D5,SES3301P1,SES4501D3,SEP0511P6,SES4501D5,SEN3602S2

选型指南 - 萨瑞微电子 - 2023/8/14 PDF 中文下载

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产品型号

品类

极性

Max Reverse Working Voltage VRWM(V)

Junction Capacitance Cj(pF)

Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)

Min Breakdown Voltage VBR(V)

Max Breakdown Voltage(V)

Max Leakage Current IR@VRWM(uA)

Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)

Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)

Max Peak Pulse Power PPP(W)