【产品】国产N沟道超级结MOSFET PJMF900N60E1,规格为600V/4.4A,适用于适配器
强茂(PANJIT)推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF900N60E1,在TA=25℃条件下,其漏源电压为600V,连续漏极电流为4.4A(TC=25℃),最大漏源导通电阻为900mΩ(VGS=10V,ID=1.5A)。该器件具有高速开关、低导通电阻、100% 雪崩测试和100% Rg测试等特点。
产品实物图和示意图
产品特点:
●漏源导通电阻RDS(ON)最大值为900mΩ(VGS=10V)
●易于使用和驱动
●高速开关,低导通电阻RDS(ON)
●100% 雪崩测试
●100% Rg测试
●无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准
●绿色环保塑封,符合IEC 61249标准
机械数据:
●外壳:ITO-220AB-F 封装
●端子:可焊性符合MIL-STD-750标准(方法2026)
●重量约为:0.068 盎司,2 克
应用:
适配器、LED灯、USB-C PD 充电器、咖啡机电源
最大额定参数(TA=25℃,除非特别说明):
热特性:
电气特性(TA=25℃,除非特别说明):
注:
1.脉冲宽度≤300us,占空比≤2%
2.基本上与工作温度典型特性无关
3.RθJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和
4.Co(er)与Coss存储相同的能量,当VDS从0V上升到80% V(BR)DSS时
5.设计保证,无需进行产品测试
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (Ω)(10V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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PJMH190N60E1
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Super Junction MOSFET
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TO-247AD-3LD
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New Product
|
-
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N
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Single
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600
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30
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20.6
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0.18
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1410
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3.8
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40
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选型表 - PANJIT 立即选型
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品类:N-Channel Super Junction MOSFET
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品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥4.0823
现货: 30
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服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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