【产品】国产N沟道超级结MOSFET PJMF900N60E1,规格为600V/4.4A,适用于适配器

2022-08-31 PANJIT
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强茂(PANJIT)推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFETPJMF900N60E1,在TA=25℃条件下,其漏源电压为600V,连续漏极电流为4.4A(TC=25℃),最大漏源导通电阻为900mΩ(VGS=10V,ID=1.5A)。该器件具有高速开关、低导通电阻、100% 雪崩测试和100% Rg测试等特点。

产品实物图和示意图

产品特点:

●漏源导通电阻RDS(ON)最大值为900mΩ(VGS=10V)

●易于使用和驱动

●高速开关,低导通电阻RDS(ON) 

●100% 雪崩测试

●100% Rg测试

●无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准

●绿色环保塑封,符合IEC 61249标准


机械数据:

●外壳:ITO-220AB-F 封装

●端子:可焊性符合MIL-STD-750标准(方法2026)

●重量约为:0.068 盎司,2 克


应用:

适配器、LED灯、USB-C PD 充电器、咖啡机电源


最大额定参数(TA=25℃,除非特别说明):

热特性:

电气特性(TA=25℃,除非特别说明):

注:

1.脉冲宽度≤300us,占空比≤2%

2.基本上与工作温度典型特性无关

3.RθJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和

4.Co(er)与Coss存储相同的能量,当VDS从0V上升到80% V(BR)DSS

5.设计保证,无需进行产品测试

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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