【产品】1200V超低Vsat PT XPT™ GenX4™ IGBT IXYH55N120A4，饱和压降最大值1.8V

时间： 2020-07-17 来源：Littelfuse

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LITTELFUSE（力特）推出的超低Vsat PT XPT™ GenX4™ IGBT IXYH55N120A4，采用TO-247封装，开关频率高达5kHz，V_CES最大额定值为1200V。饱和压降V_CE（sat）的最大值为1.8V，导通损耗低。在Tc=110℃时，集电极电流最大额定值为55A；Tc=25℃，1ms时，集电极电流最大额定值为350A。

图1 产品实物图

此外，该产品最高结温可达175℃，储存温度范围在-55~175℃，可以适应对温度要求高的工业环境，主要用于功率逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动及开关模式电源(SMPS)等方面。

特点：

针对低传导损耗进行了优化

正温度系数-Vce（sat）

国际化标准封装

优势：

高功率密度

低栅极驱动要求

应用领域：

功率逆变器

不间断电源(UPS)

电机驱动

开关模式电源(SMPS)

PFC电路

电池充电器

焊接机

荧光灯镇流器

浪涌电流保护电路

电气参数表：

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您好，驱动器功率输出为100KW,通过计算可以知道额定输出电流为200A左右，在选型IGBT模块时候，需要满足驱动器过载考虑，一般选用2.5倍的额定输出电流，200A*2.5=500A,同时电动汽车所配的动力电池电压为800V,在IGBT模块耐压方面，需要选择大于800V,且所留余量比较大耐压模块，因此选用1200V的IGBT模块。推荐Vincotech 的E3系列半桥6管 IGBT模A0-VS122PA600M7-L759F70，采用最细M7晶圆，导通损耗更低，具有更高的能量密度，满足大功率电驱系统逆变单元的应用。下面链接为详细参数：https://www.sekorm.com/product/7674.html

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