【产品】低结电容晶闸管电涌抑制器KU4F8、KU4F12,支持单向或双向浪涌吸收,非常适合用于通信设备的雷击过载保护

2018-12-25 Shindengen
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SHINDENGEN(新电元工业株式会)主要从事功率半导体和开关电源、电装制品的制造和销售,并以电力电子技术为主要领域。新电元推出的浪涌吸收器包括压敏电阻和晶闸管电涌抑制器,其中KU4F8KU4F12两款浪涌吸收器属于晶闸管电涌抑制器,可支持单向或双向浪涌吸收,主要应用于通讯电路雷电冲击波吸附、发射机和交换机雷电冲击波吸附、ISDN 终端浪涌保护等领域。

  

KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器最大断态电压其关断电压分别为70V、100V,均可承受高达40A的浪涌电流冲击。并且该系列晶闸管电涌抑制器具有超低结电容,结电容最大值均为100pF,支持高速响应。此外,可支持重复使用,确保了其使用寿命,适合用于通信设备的雷击过载保护。


图1  KU4F8封装尺寸图、电路图

图2  KU4F12封装尺寸图、电路图


KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器转折电压范围分别为75V~98V、110V~125V,通态电压为3V;在VD=VDRM时,断态电流最大值均为10µA;保持电流最大值均为100mA。KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器保存温度范围为-40℃~125℃,可在多种工作条件下使用。结温温度最高可达125℃,当吸收浪涌电流时,会出现严重发热,高结温则可保证器件的可靠性。

 

此外,KU4F8、KU4F12的体积很小,体积均为5.1×3.75×2.0mm3,采用小型封装,非常适合应用在对器件尺寸要求较高的产品中。

 

KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器特点:

·双向或单向特点

·高速响应

·大浪涌电流能力

·可以重复使用以防止浪涌

·体积均为5.1×3.75×2.0mm3

·保存温度范围为-40℃~125℃

 

KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器应用领域:

·通讯电路雷电冲击波吸附

·发射机和交换机雷电冲击波吸附

·ISDN 终端浪涌保护

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品牌:SHINDENGEN

品类:桥式整流二极管

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EMC雷击浪涌测试

测试1.2/50us-8/20us组合波,10/700us-5/320us组合波,8/20us单波。能够模拟雷电瞬变引起的浪涌冲击抗干扰测试,最高电压达20KV,电流达20KA。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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