【产品】低结电容晶闸管电涌抑制器KU4F8、KU4F12,支持单向或双向浪涌吸收,非常适合用于通信设备的雷击过载保护
SHINDENGEN(新电元工业株式会)主要从事功率半导体和开关电源、电装制品的制造和销售,并以电力电子技术为主要领域。新电元推出的浪涌吸收器包括压敏电阻和晶闸管电涌抑制器,其中KU4F8、KU4F12两款浪涌吸收器属于晶闸管电涌抑制器,可支持单向或双向浪涌吸收,主要应用于通讯电路雷电冲击波吸附、发射机和交换机雷电冲击波吸附、ISDN 终端浪涌保护等领域。
KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器最大断态电压其关断电压分别为70V、100V,均可承受高达40A的浪涌电流冲击。并且该系列晶闸管电涌抑制器具有超低结电容,结电容最大值均为100pF,支持高速响应。此外,可支持重复使用,确保了其使用寿命,适合用于通信设备的雷击过载保护。
图1 KU4F8封装尺寸图、电路图
图2 KU4F12封装尺寸图、电路图
KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器转折电压范围分别为75V~98V、110V~125V,通态电压为3V;在VD=VDRM时,断态电流最大值均为10µA;保持电流最大值均为100mA。KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器保存温度范围为-40℃~125℃,可在多种工作条件下使用。结温温度最高可达125℃,当吸收浪涌电流时,会出现严重发热,高结温则可保证器件的可靠性。
此外,KU4F8、KU4F12的体积很小,体积均为5.1×3.75×2.0mm3,采用小型封装,非常适合应用在对器件尺寸要求较高的产品中。
KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器特点:
·双向或单向特点
·高速响应
·大浪涌电流能力
·可以重复使用以防止浪涌
·体积均为5.1×3.75×2.0mm3
·保存温度范围为-40℃~125℃
KU4F8、KU4F12晶闸管电涌抑制器应用领域:
·通讯电路雷电冲击波吸附
·发射机和交换机雷电冲击波吸附
·ISDN 终端浪涌保护
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目录- Semiconductor Part number index GENERAL RECTIFYING DIODES BRIDGE DIODES SCHOTTKY BARRIER DIODES FAST RECOVERY DIODES THYRISTORS/SIDACs/TRIACs/SURGE ABSORBERS TVS POWER MOSFETs/POWER MODULES/POWER Ics PACKAGE LIST & PRODUCTS OUTLINE DIMENSIONS PACKING SPECIFICATION/NOTES
型号- 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
5G基站设备
描述- 本资料介绍了Shindengen公司针对5G基站电源系统的元器件产品。内容包括5G基站电源系统中的关键元器件,如Nch-MOSFET、整流二极管、桥式MOSFET、连接器、控制器等。资料详细介绍了这些元器件的特性、应用和性能参数,并提供了产品选型和设计建议。
型号- S 60 SC6MT,P 50 LF 10 SLK,P 16 F 60 EVA,SG 30 TC 12 M,S 30 SC6MT,SL SERIES,A SERIES,P 74 LF 10 GNK,P 24 LF4QLK,TVS,DG1S4,D1 FK 120 P,D 10 FR 60 V,P 240 FZ4QNKA,SG 20 JC6M,MF 2003 SV,D1FT4A,P 25 F 60 EVA,S 30 TC 15 T,P 39 W 60 EVA,D1 FS4,M SERIES,P 11 F 60 EVA,S SERIES,D 35 XB 80,P 36 LF 20 GNK,P 25 LF 12 SLK,LL15XB 60,D 10 FY 60 VE,D2FK 60,P 18 LF6QLK,EETMOS 4 SERIES,SG 40 TC 12 M,P 180 LF4GNK,D1 FT4,M1 FK 60,D3 FK 60,A,LL25XB 60,D1 FS4A,G 10 TC 15 M,SG 20 SC6M,LK25XB 60,D 15 FR 60 V,SG 30 TC 15 M,D35XB80,J,P 58 FZ 20 GNKA,M1 FS4,M,P 70 LF4QLK,S,D 25 FD 60 V,SL,D 10 FR 60 LA,EEVAMOS SERIES,EEVAMOS,D 15 FR 60 LA,SG 20 TC 10 M,J SERIES,D 25 XB 80,SF 10 L 60 MSM,SF 20 L 60 MVM,US 30 KB 80 R,SG 10 SC6M,SF 20 L 60 AM,P 72 LF7R5SLK,D1 FJ4,D5FE 60,D5FY 60 K,SG 30 JC6M,US 30 KBV 80 FR,P 120 LF6GNK,D3FE 60,D3CE4S,MF 2007 SW,SG 30 TC 10 M,P 140 LF4QLK,SG 15 SC6M,LK25XB60,P 105 LF4QLK,M1 FM3,SG 30 SC6M,P 31 W 60 EVA,ML,MG059,DG1M3A,ML SERIES,P 240 FZ4GNKA,MCZ 5607 SC,P 38 LF6QLK,P 46 LF7R5SLK,SG 20 TC 15 M,P 32 LF 10 SLK,SG 40 TC 10 M,P 50 W 60 EVA,M1FJ4,P 170 FZ6QNKA,1.2 KV SIC-SBD,S 60 JC 10 V,SF 10 L 60 MVM,SF 20 L 60 MSM,P 240 FZ6GNKA,P 40 LF 12 SLK,MCZ 5606 SC,US30KBV80FR,SG 10 SC9M,DG1M3,D1 FM3,D3FK 120,S 20 SC9MT,P 64 LF6QLK,SF 10 L 60 AM,SG 20 SC9M,P 130 FZ 10 GNKA,EETMOS 4,EETMOS 5,SG 20 TC 12 M,MCZ 5601 SC,EETMOS 5 SERIES,D3CE 60 K,P 21 F 60 EVA,P 98 LF6QLK,S 20 SC 65 WV,D1 FK 60,LL25XB 60 F,S20SC65WV
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EPS、辅助电机和三相无刷电机的其他装置
描述- 本资料介绍了Shindengen公司针对EPS、辅助电机和其他三相无刷电机的设备产品。内容包括:电池、TVS2、逆流/逆接防止用二极管、ON/OFF用MOSFET、逆流防止用MOSFET、三相逆变器回路、相隔离继电器和电机等。此外,还介绍了TVS二极管、双向TVS DL04系列、反向接触/反流防止二极管、Nch-MOSFET驱动电路、降压DC/DC、Nch-MOSFET驱动电路、三相逆变器电路和三相逆变器模块等产品。
型号- MF2003SV,P 50 LF 10 SLK,D5FY6SY,MG031B090004A,SL SERIES,DL04 -18 F1,P 74 LF 10 GNK,P 24 LF4QLK,D5FY6ST,DG1S4,P 240 FZ4QNKA,D1FT4A,DL04 -36 F1,ST06 -30 CE,D1 FS4,M SERIES,ST06CE SERIES,M1FL 20 U,MG031MD 110006A,ST06 -33 CE,P 36 LF 20 GNK,S SERIES,P 25 LF 12 SLK,D 10 FY 60 VE,P 18 LF6QLK,P 180 LF4GNK,M3FL 20 U,DL04 -18 F1,D1 FT4,D1 FT 10 A,MG031G 148004 A,D5FY 60K,D 15 FY 6ST,D3CE 20 LUS,MG031Y,D1 FT 15 A,D1 FT 10,MG031L080006A,D1 FS4A,ST 70 -27 MF,D5FY 10 SY,MG031V,MG068,ST06 -36 CE,MG056C,MG056D,MG067,MG064,J,P 58 FZ 20 GNKA,D5FY 10 ST,D 10 FY 15 ST,MG032D,M1 FS4,M,MG056A,P 70 LF4QLK,S,D5FY 60K,D 25 FD 60 V,SL,MG032A 4207 R5A,M1FE 60,D 10 FY 10 SY,ST06 -39 CE,D1 FL 20 U,D 10 FY 10 ST,D 10 FY 6 SY,MG055B,J SERIES,MG055C,MG055D,MG055A,D5FY 15 ST,P 72 LF7R5SLK,D1 FJ4,D5FE 60,D2FL 20 U,EETMOS 5 SERIES,D 10 FY 4 R5SY,MG031S,D 15 FY 15 ST,MF2007SW,ST 70 -27 FZ,P 120 LF6GNK,MG048,D3FE 60,D3CE4S,MG054A,MF 2007 SW,D3CE 15 ST,P 140 LF4QLK,D 15 FY 10 SY,ST06CE,D 15 FR 4ST,P 105 LF4QLK,M1 FM3,D 15 FY4R5ST,D 15 FY 10 ST,DG1M3A,P 240 FZ4GNKA,MG055,MG056,P 38 LF6QLK,P 46 LF7R5SLK,DL04,M1FE 40,P 32 LF 10 SLK,M3FE 60,D 20 FR4R5S,M1FJ4,P 170 FZ6QNKA,D 15 FY 4 R5SY,EETMOS 4 SERIES,DG1N 15 A,MG048A,P 240 FZ6GNKA,EETMOS 4,D 10 FY4R5ST,D3FJ 10,P 40 LF 12 SLK,D 15 FY 6 SY,MG064A,MG064B,DG1M3,MG064C,EETMOS 5,MG048B,D3CE 60 VE,D1FE 60,D1 FM3,D5FY4R5ST,D 20 FR 4ST,ST06 -27 CE,P 64 LF6QLK,D5FY 20 SN,D5FY4R5SY,D 10 FY 6ST,DL04 -33 F1,MG032B 420010 A,DL04 SERIES,M2FL 20 U,P 130 FZ 10 GNKA,MG031,MG031MC 148004 A,MG032,D1 FJ 10,P 98 LF6QLK,ST06 -18 CE,DG1J 10 A,MG031N 110006 A,MG031E 120004 A
【产品】适于通讯设备闪电过载保护的晶闸管浪涌吸收器,可承受高达500A浪涌电流冲击
SHINDENGEN(新电元)的KP40RU22系列晶闸管浪涌吸收器,可支持单向浪涌吸收,重复的断态电压为60V,而非重复断态电压峰值高达180V。KP40RU22的开态浪涌电流和峰值正向浪涌电流均高达500A,使其在通讯设备的闪电过载保护中具有超强优势,可用于雷电冲击波吸附通讯电路、雷电冲击波吸附发射器和配电盘以及ISDN终端浪涌保护等领域。
【产品】高速响应的50pF低结电容浪涌吸收器,可为系统提供出色的浪涌保护
KL3N14是由Shindengen推出的一款浪涌吸收器,具有低结电容,可支持快速响应,承受高浪涌电流冲击,可支持双向浪涌吸收的特点。KL3N14浪涌吸收器可承受大的浪涌电流冲击,其可承受通态浪涌电流范围为30~100A,可为系统提供出色的浪涌保护。此外,该晶闸管电涌抑制器具有超低结电容,其结电容低至50pF,可确保器件进行快速充放电,支持高速响应。同时,其保存温度范围为-40-125℃。
KU4F12晶闸管浪涌抑制器100V,40A
描述- 本资料介绍了型号为KU4F12的双向硅控整流器(Thyristor Surge Suppressors)。该器件具有双向特性、高速响应特性、大浪涌电流容量,适用于重复使用的浪涌抑制。产品符合RoHS标准,采用M2F封装。
型号- KU4F12
【产品】迷你封装(5.1×3.75×2.0mm)工业级浪涌吸收器,适合用于通信设备的闪电过载保护
KU10L08是由Shindengen推出的一款浪涌吸收器,具有低结电容,可支持快速响应,承受高浪涌电流冲击,可支持双向浪涌吸收的特点。KU10L08浪涌吸收器可承受最大浪涌电流值为100A,可为系统提供出色的浪涌保护。适合用于通信设备的闪电过载保护。
Shindengen(新电元) 浪涌吸收器KU4F8数据手册
描述- 该资料介绍了电流制御型KU系列元器件,包括其外形尺寸图、定格表、电气的特性图表等详细信息。资料涵盖了产品的绝对最大额定值、电气特性、保持电流与结温的关系曲线等关键参数。
型号- KU4F8,KU4F8-5063
KU4F8晶闸管浪涌抑制器70V,40A
描述- 本资料介绍了型号为KU4F8的双向硅控整流器(Thyristor Surge Suppressors)。该器件具有双向特性、高速响应特性、大浪涌电流容量,适用于重复使用的浪涌保护。产品符合RoHS标准,采用M2F封装。
型号- KU4F8
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测试1.2/50us-8/20us组合波,10/700us-5/320us组合波,8/20us单波。能够模拟雷电瞬变引起的浪涌冲击抗干扰测试,最高电压达20KV,电流达20KA。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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