ATP工控级高效能NVMe固态硬盘兼具速度与能效，工业应用端存储的首选
专注于「工业应用」储存解决方案的领导厂商ATP Electronics（华腾国际科技）发表速度与效能兼具的PCIe介面NVMe嵌入式存储。以可靠度与衰减的高容量TLC 3D NAND闪存制成，高效能八条传输通道控制器以及端对端数据保护机制，创新电源保护及电源遗失保护空间（PLP）技术，新一代M.2 2280 NVMe N600Si / N600Sc固态硬盘模组为工业应用端存储首选。
ATP全球行销副总Marco Mezger表示：NVMe与3D NAND闪存是目前市场上的主流趋势。ATP整合硬件，固件与存储测试能力，提供客户最高品质的固态硬盘，展现高效能回顾两年前，ATP领先业界首发符合工业温度M.2 NVMe固态硬盘，与时俱进持续研发符合工业应用环境需求的储存装置。不因严酷环境考验降低存储产品可靠度与耐用度，满足客户对存储需求的最高整体拥有成本（TCO）效益。”
产品简述
· 目前供应容量：120/240/480/960/1920 GB
· 连续读/写效能：最高3,420 / 3,050 MB /秒
· 耐久度：高达5,120 TB
· 提供工规（N600Si）与商规（N600Sc）等级
· 端对端资料保护与支援磁盘阵列（RAID）
八传输通道NAND闪存效能
ATP M.2 NVMe 2280系列固态硬盘N600Si / N600Sc以8 Gb / s Gen3x4高速介面八通道NAND闪存同步数据传输。搭载PCIe 3.1及NVMe 1.3固态硬盘软硬件最高规格优势，满足不同产业对高效率与高可靠度存储需求。
完整资料保护
由主系统对固态硬盘所有资料传输提供端对端资料路径保护及静态随机存取存储错误校正码（SPAM ECC），正确掌握潜在的资料错误风险。
以微控制器单位电源遗失保护堆叠设计硬件
提供进一步的电源可靠度保护即微控制器设计（MCU）独立电源控制与电源遗失保护（PLP）机制，一旦电源损耗，电磁波干扰或电流错误状况发生时，ATP第四代电源保护与PowerProtector 4增强存储保护与资料重要性。
ATP PowerProtector 4同步进化硬件与固件以保护资料与储存装置，如减少电源开启时涌浪电流及预防输入电压过高。为确保资料完整，消除输入电源杂讯干扰，避免错误讯息造成不正确抹除快取存储，如主机端输入电压造成杂讯或异常情况。新一代微控制设计可遵循客户需求客制化电源遗失保护选项，以符合应用端与市场使用需求。
内建低密度奇偶检查（LDPC）及磁盘阵列引擎（RAID Engine）技术
ATP M.2 NVMe 2280系列固态硬盘N600Si / N600Sc读取2KB低密度奇偶校验码（低密度奇偶校验，LDPC）由嵌入式磁盘磁盘机（RAID引擎）完成错误校正，提升3D TLC NAND耐久度与资料完成性。可支持磁盘格式功能确保资料重复与容错机制固态固态盘发生错误时资料遗失。
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本文由星晴123转载自ATP ELECTRONICS，原文标题为:ATP 工控級高效能NVMe 固態硬碟以八傳輸通道PCIe Gen3x4高速介面，端對端資料保護及MCU設計電源管理機制，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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