【产品】采用SOT-223贴片型封装的表面硅NPN晶体管CZT5551,适用于高压、高频放大器
CZT5551是美国Central公司推出的一款NPN晶体管,其使用外延平面工艺生产,封装结构选用SOT-223贴片型,采用环氧树脂封装。该器件的机械优点有体积小,重量轻,绝缘好,壳体热阻低,坚固耐用等等。
图1 CZT5551表面硅NPN晶体管的封装示意图
25°C时,集电极基极电压VCBO为180V,集电极发射极电压VCEO为160V,发射极基极电压VEBO为6.0V。另外,其持续集电极电流为600mA。因此,CZT5551表面硅NPN晶体管能够满足较高电压应用环境。
图2 CZT5551表面硅NPN晶体管的封装尺寸示意图
CZT5551表面硅NPN晶体管的特性较为适合应用在高频放大电路中。在25°C,VCE=5.0V,IC=10mA的条件下,其放大系数最小值为80,放大倍数较高。并且其特征频率为100~300MHz,极间电容Cob为6.0pF,充放电量低,充放电时间短,器件的响应速度较高。CZT5551表面硅NPN晶体管能够适用于较高频率场合,无论是高频放大电路或高频开关电路均适用。其噪声系数为8.0dB,低噪声性能较好。同时,该器件饱和压降VCE为0.15~0.20V,导通损耗极低,整体功率损耗也相应降低。最大功率损耗值PD为2.0W,具有低功耗的优点,因为实际功耗会远低于PD。
CZT5551表面硅NPN晶体管不仅功能强大,其工作热稳定性也非常优秀。其热阻θja仅仅只有62.5°C/W,配合其低功耗的优点,在工作状态产生的热量极低,对器件的影响不大。另一关键参数集电结反向漏电流ICBO在温度从25°C提高到100°C时,其值从50nA升高到50μA,与最佳工作电流10mA比较,即使50μA也只是千分之五的漏电流,可见温度对器件的影响较低。其工作温度范围为-65°C~+150°C,出色的耐高低温工作能力,使其能适应任何恶劣的工作环境。
CZT5551表面硅NPN晶体管的主要特点:
• SOT-223贴片型,体积小,重量轻,绝缘好,壳体热阻低,坚固耐用
• VCBO=180V,VCEO=160V,VEBO=6.0V
• 持续集电极电流高达600mA
• 电气可靠性高
• 放大倍数80~250
• 特征频率100~300MHz
• 热稳定性能良好,热阻θja仅有62.5°C/W
• 工作及储存温度范围极大:-65°C~+150°C
CZT5551表面硅NPN晶体管的典型应用:
• 高电压高频放大电路
• 低噪声高频开关电路
• 低噪声高频整流电路
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