【产品】采用SOT-223贴片型封装的表面硅NPN晶体管CZT5551，适用于高压、高频放大器

时间： 2018-11-09 来源：Central Semiconductor

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CZT5551是美国Central公司推出的一款NPN晶体管，其使用外延平面工艺生产，封装结构选用SOT-223贴片型，采用环氧树脂封装。该器件的机械优点有体积小，重量轻，绝缘好，壳体热阻低，坚固耐用等等。

图1 CZT5551表面硅NPN晶体管的封装示意图

25°C时，集电极基极电压V_CBO为180V，集电极发射极电压V_CEO为160V，发射极基极电压V_EBO为6.0V。另外，其持续集电极电流为600mA。因此，CZT5551表面硅NPN晶体管能够满足较高电压应用环境。

图2 CZT5551表面硅NPN晶体管的封装尺寸示意图

CZT5551表面硅NPN晶体管的特性较为适合应用在高频放大电路中。在25°C，V_CE=5.0V，I_C=10mA的条件下，其放大系数最小值为80，放大倍数较高。并且其特征频率为100~300MHz，极间电容C_ob为6.0pF，充放电量低，充放电时间短，器件的响应速度较高。CZT5551表面硅NPN晶体管能够适用于较高频率场合，无论是高频放大电路或高频开关电路均适用。其噪声系数为8.0dB，低噪声性能较好。同时，该器件饱和压降V_CE为0.15~0.20V，导通损耗极低，整体功率损耗也相应降低。最大功率损耗值P_D为2.0W，具有低功耗的优点，因为实际功耗会远低于P_D。

CZT5551表面硅NPN晶体管不仅功能强大，其工作热稳定性也非常优秀。其热阻θ_ja仅仅只有62.5°C/W，配合其低功耗的优点，在工作状态产生的热量极低，对器件的影响不大。另一关键参数集电结反向漏电流I_CBO在温度从25°C提高到100°C时，其值从50nA升高到50μA，与最佳工作电流10mA比较，即使50μA也只是千分之五的漏电流，可见温度对器件的影响较低。其工作温度范围为-65°C~+150°C，出色的耐高低温工作能力，使其能适应任何恶劣的工作环境。

CZT5551表面硅NPN晶体管的主要特点：

• SOT-223贴片型，体积小，重量轻，绝缘好，壳体热阻低，坚固耐用

• V_CBO=180V，V_CEO=160V，V_EBO=6.0V

• 持续集电极电流高达600mA

• 电气可靠性高

• 放大倍数80~250

• 特征频率100~300MHz

• 热稳定性能良好，热阻θ_ja仅有62.5°C/W

• 工作及储存温度范围极大：-65°C~+150°C

CZT5551表面硅NPN晶体管的典型应用：

• 高电压高频放大电路

• 低噪声高频开关电路

• 低噪声高频整流电路

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