【产品】3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM 70V09L,待机能耗仅660uW

2019-10-29 IDT(Renesas收购)
双端口静态RAM,70V09L,70V09L20PFGI,70V09L15PFG 双端口静态RAM,70V09L,70V09L20PFGI,70V09L15PFG 双端口静态RAM,70V09L,70V09L20PFGI,70V09L15PFG 双端口静态RAM,70V09L,70V09L20PFGI,70V09L15PFG

IDT(RENESAS收购)推出的70V09L是3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于16位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。


该设备提供两个独立的端口,具有独立的控制功能,地址和I / O引脚,允许独立,异步地访问存储器中的任何位置。 自动关机由芯片控制的功能使能(/CE0 和 CE1)允许片上每个端口的电路都将进入非常低的待机功耗模式。这些都是使用CMOS高性能技术制造的设备通常仅以440mW的功率运行。器件封装在100引脚Thin Quad Flatpack(TQFP)中。


特征:

· 真正的双端口存储单元,允许同时读取同一存储位置

· 高速访问

–商业:15 (最大)

–工业:20ns(最大)

· 低功耗运行

– IDT70V09L

工作能耗:440mW(典型值)

待机能耗:660uW(典型值)

· 双芯片使无需外部逻辑即可进行深度扩展

· 当级联多个设备时,IDT70V09使用主/从选择轻松地将数据总线宽度扩展到16位或者更多位。

·   M / S= VIH,表示主机上的BUSY输出标志,

    M / S = VIL,表示从机上的BUSY输入标志。

· 中断标志

· 片上端口仲裁逻辑

· 端口之间信号量信令的完整片上硬件支持

· 从任一端口完全异步操作

· TTL兼容,单3.3V(±0.3V)电源

· 提供100引脚TQFP

· 工业温度范围(–40°C至+ 85°C)适用于选定的速度

· 提供可替换零件,请参阅订购信息


                                           图1 引脚图                                                                                  图2 功能模块框图


订购信息如下所示:

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 用户18396822 Lv8 2019-10-30
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