【产品】2Gb高速DDR3L同步动态随机存取存储器AS4C512M4D3LC-12BCN,具有双倍数据传输速率特性
AS4C512M4D3LC-12BCN是一款由美国ALLIANCE Memory公司推出的高速DDR3L同步动态随机存取存储器(SDRAM),其总容量可达2Gb,由8组DRAM内存构成,结构为64Mbit x 4 I/Os x 8组DRAM。对于一般应用,其双倍数据传输速率特性,可使数据传输速率可达到1600Mb/sec/pin。
这款产品在设计上完全依照了DDR3L DRAM的关键特性,由一对外部提供的差分时钟来实现所有控制和地址输入的同步。输入在差分时钟信号的交叉点(CK上升,CK#下降)被锁存。所有的I/O接口使用源同步的方式,通过一对差分DQS进行同步。由单电源1.35V-0.067V/+0.1V供电,在BGA封装中也适用。
主要特征:
• 符合JEDEC标准
• 电源VDD和VDDQ=+1.35V(1.283V~1.45V)
• 工作温度范围
-正常温度范围TC=0~85°C
-扩展温度范围TC=85~95°C
• 符合JEDEC时钟振荡频率规范
• 完全同步工作
• 频率高达800MHz的时钟频率
• 8组内存并行工作
• 8比特预取架构
• 预充电和主动断电
• 可编程模式寄存器和扩展模式寄存器
• 附加延时AL可设置为0,CL-1,CL-2
• 可编程突发操作长度:4或8比特
• 突发操作模式:顺序或交错模式
• 平均刷新周期
-8192 刷新周期/64ms (7.8us at 0°C ≦ TC ≦ +85°C)
- 8192刷新周期/32ms (3.9us at +85°C ≦ TC ≦ +95°C)
• ZQ校准
• 动态ODT
• 符合RoHS标准
• 自动刷新和自刷新功能
• 78-ball 7.5 x 10.5 x 1mm FBGA封装
-无铅无卤素
表1 速度等级信息
表2 订购信息
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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