【经验】SI823X系列驱动芯片死区时间的设置

2020-04-03 世强
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目前SILICON LABSSI283X驱动芯片大量的运用在PFC,半桥,全桥及LLC等拓扑电源运用中,作为设计者来说,希望选到合适SI823X系列驱动芯片,此次针对SI283X系列驱动中带死区的设置做个运用说明。


图1 为SI823X系列涉及到死区时间(DT)设置引脚中的驱动芯片SI8230,SI8233

图   SI823X驱动芯片


针对驱动芯片SI2833或者SI2830做通信电源,服务器电源,车载DC-DC或者OBC驱动时,本身输入信号VIA,VAB在做软件处理发波时会给对应的输出驱动Voa,Vob留有一定死区时间,因为涉及到半桥或者全桥驱动时,上桥的功率MOS管从开通到关断,下桥的功率MOS管从关断到开通的过程会涉及到换向问题,为了防止上下桥管子在干扰因素情况造成直通短路的问题,软件设置驱动波形时会留有足够的死区时间,防止上下MOS管导通的问题。


针对SI823X系列驱动芯片SI8230,SI8233除了软件设置驱动上下路驱动死区时间的同时,该驱动芯片还可以提供硬件设置死区时间的方式,通过芯片的原边侧DT引脚串联一个电阻R到原边侧的GND,可以设置输入两路驱动的死区时间,在原有软件设置的基础上可以增加死区时间。Tdt死区时间)=10Rt,其中Rt为外接DT引脚的阻值,Tdt的单位为ns,比如Rt为10KΩ,对应的Tdt=10X10ns=100ns,这样在两路驱动波形之间会有100ns的死区时间;另外有些设计者另外软件设置的死区时间足够,不需要额外的硬件提供死区时间,可以将Dt引脚直接接VDD或者悬空都可以。


所以对于SI823X系列驱动芯片,针对有死区时间设置的驱动芯片SI8233或者SI8230,通过上述介绍可以对于DT引脚的运用有清楚的认识,根据设计需要,灵活的选择对应死区时间。


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SERIES,NSD16242-DSPR,NCA9555,NSI1052,NSC6360,NSC6362,NSI6622NB-DLAMR,NSI6651ALC-DSWR,NSC6364,NSI6602NA-DSPNR,NSI6622A-DLAR,NSI6622C-Q1SPNR,NCA1042C,NSI8220CX-DSWR,NSI6622C-DSPNR,NSA3166,NCA1042A-Q1SPR,NSIP8941W0-DSWR,NSI6642B-DLAR,NCA1042B-Q1,NSPGD1M,NSPAS3 SERIES,NSD1624-DSPR,NSI6602VA-Q1SWR,NSD1026V-Q1HMSR,NSI8242CX-DSWR,NSI6602MNC-Q1SWTR,NSL2163X-Q1,NST20,NIRS31,NSREF30XX,NCA9545,NSI6622NA-DLAMR,NSI1042,NSI6611,NCA9546,NSI6622B-DSPNR,NCA9306,NCA9548,NSD12416-Q1SPR,NSI6602MC-Q1SWTR,NSI8242NX,NSD8381-Q1QAIR,NSD8308-Q1HTSXR,NCA9617A,NST1001HA,NSI6602VA-DSWR,NSI1303D2X,NSI1050,NSI6601B-DSWVR,NSD7310-DHSPR,NSI6601,NSD731X-Q1,NCA1057N-Q1SPR,NSR7808GXX,NSD7312-Q1HSPR,NSI6602VB-DLAMR,NSI6602MNF-DSWTR,NSD1026V-DHMSR,NSA3300,NSI6602C-Q1SWKR,NSC2860X,NSD11416‒Q1,NSI6622NB-Q1SPNR,NCA1051N-DSPR,NSI6611ASC-DSWR,NSI22C11,NSI8230CX-DSWR,NSI6801B-DSPR,NSI6622A-DSPNR,NSD12409‒Q1,NSD5604NE-DHTSTR,NSPDSX SERI

选型指南  -  纳芯微电子  - April 2024 PDF 英文 下载

商品及供应商介绍  -  纳芯微电子  - 2023年4月 PDF 中文 下载 查看更多版本

瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖,致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化

2017年,瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立,前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化,现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造(IDM)企业,累计交付核心产品:碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗,驱动芯片约4800万颗,广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。

原厂动态    发布时间 : 2024-08-24

基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南

描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。

型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

选型指南  -  基本半导体  - 2024/5/16 PDF 中文 下载

芯进(CrossChip)电流传感器/直流无刷电机/LED 驱动/霍尔开关选型指南

描述- 公司自 2013 年成立以来,围绕霍尔传感器技术开发了速度位置传感器,高精度线性霍尔传感器,高精度电流传感器等产品线。高精度线性霍尔传感器出货量居行业领先水平,光伏逆变器领域前 10 大工厂均在采用含有芯进产品的电流传感器模块。高精度单芯片电流传感器已经广泛应用于光伏逆变器,OBC,家电和工业自动化等领域,出货量居同行业领先水平。近年,芯进围绕核心客户的系统应用陆续推出了电源管理,总线接口和驱动器等产品线,服务于工业自动化,光伏新能源和汽车等行业客户。

型号- CC650X 系列,CC6202,CC6203,CC6201,CC6402A,CCH477,INK1102,INK1105,INK1101,CC6213,CC6401E,CC6211,CC6212,CC6210,CC6207M,CC6211S,CC6102R,CC6208,CC6209,CCH477E,CC6206,CC6207,CCH477G,CC6204,CC6205,CC6103,CC6500,CCH890,CC6104,CC6101,CC6102,CC7030,CC6921B,CC7031,CCH891,CC6105R,CC6217,CC6215,CC6511,CC6115,CC6112,CC6113,CC6111,CC6920B,CC6905,CC6906,CC6903,CC6904,CC6902,CC6503,CC6900,CC6504,CC6229,CC6501,CC6105,CC6502,CC6401,CC6121,CC1108,CC690X,CC692X 系列,CC650X,CC6407C,CC6411,CC6533,CC6412,CC6531,CC6410,CC6130,CC6927,CC690X 系列,CC6409,CC6407,CC6921,CC6404,CC6922,WS2801,CC6402,CC6920,CC6403,CC6422,CC6423,CC6420,CC6421,CC6533B,INK1003,177,CC692X,CC6419,CC6418,CC6415,CC6416,CC6534,CC6413,CCH284,CC653X 系列,CC653X

选型指南  -  芯进电子  - 2023/12/15 PDF 中文 下载

【IC】基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列,能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通

在驱动碳化硅MOSFET时引入米勒钳位功能非常必要,采用基本半导体自研的BTD25350MM驱动芯片能够高效可靠地抑制误开通,该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。大家在使用碳化硅MOSFET进行方案设计时,为规避误导通风险,建议选择BTD25350驱动芯片系列产品。

产品    发布时间 : 2024-07-08

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品牌:SILICON LABS

品类:8位MCU

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品类:LED驱动芯片

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品类:直流电机驱动芯片

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品牌:巴丁微电子

品类:电机驱动芯片

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品类:Isolated Driver

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品牌:中科微

品类:马达驱动芯片

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品牌:中科微

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品牌:TI

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品牌:Bitek

品类:触摸屏驱动芯片

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品牌:Mixic

品类:继电器/线圈驱动芯片

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品牌:INFINEON

品类:驱动芯片

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品牌:上海贝岭

品类:驱动芯片

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品牌:SEMTECH

品类:驱动芯片

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