【经验】SI823X系列驱动芯片死区时间的设置
目前SILICON LABS的SI283X驱动芯片大量的运用在PFC,半桥，全桥及LLC等拓扑电源运用中，作为设计者来说，希望选到合适SI823X系列驱动芯片，此次针对SI283X系列驱动中带死区的设置做个运用说明。
图1 为SI823X系列涉及到死区时间（DT）设置引脚中的驱动芯片SI8230,SI8233，
图 SI823X驱动芯片
针对驱动芯片SI2833或者SI2830做通信电源，服务器电源，车载DC-DC或者OBC驱动时，本身输入信号VIA,VAB在做软件处理发波时会给对应的输出驱动Voa,Vob留有一定死区时间，因为涉及到半桥或者全桥驱动时，上桥的功率MOS管从开通到关断，下桥的功率MOS管从关断到开通的过程会涉及到换向问题，为了防止上下桥管子在干扰因素情况造成直通短路的问题，软件设置驱动波形时会留有足够的死区时间，防止上下MOS管导通的问题。
针对SI823X系列驱动芯片SI8230,SI8233除了软件设置驱动上下路驱动死区时间的同时，该驱动芯片还可以提供硬件设置死区时间的方式,通过芯片的原边侧DT引脚串联一个电阻R到原边侧的GND，可以设置输入两路驱动的死区时间，在原有软件设置的基础上可以增加死区时间。Tdt死区时间)=10Rt,其中Rt为外接DT引脚的阻值，Tdt的单位为ns,比如Rt为10KΩ，对应的Tdt=10X10ns=100ns，这样在两路驱动波形之间会有100ns的死区时间；另外有些设计者另外软件设置的死区时间足够，不需要额外的硬件提供死区时间，可以将Dt引脚直接接VDD或者悬空都可以。
所以对于SI823X系列驱动芯片，针对有死区时间设置的驱动芯片SI8233或者SI8230，通过上述介绍可以对于DT引脚的运用有清楚的认识，根据设计需要，灵活的选择对应死区时间。
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