【产品】栅源电压为±20V的P沟道MOSFET DD018PG，采用先进的高单元密度沟槽技术
杜因特推出型号为DD018PG的P沟道MOSFET，采用先进的沟道技术和设计，提供出色的RDS(on)以及低栅极电荷，可用于多种应用。
特性：
1）VDS=-40V，ID=-45A，RDS(ON)<18mΩ@VGS=-10V
2）低栅极电荷
3）绿色环保器件
4）采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的漏源导通电阻RDS(ON)
5）采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
绝对最大额定值：（TC=25℃，除非另有说明）
热特性：
封装标记和订购信息：
电气特性：（TC=25℃，除非另有说明）
注：
1. 重复额定值：最大结温限制的脉冲宽度
2. VDD=25V，VGS=10V，L=0.1mH，IAS=51A.，RG=25，起始TJ=25℃
3. 脉冲测试数据，脉冲宽度≦300μs，占空比≦2%；
4. 基本不受工作温度影响
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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