SiC器件:让光伏逆变器功率密度高达50Kw/L
随着电力电子变换系统对效率和体积提出更高要求,SiC(碳化硅)将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用,SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。
SiC在以下3个方面具有明显的优势:
• 击穿电压强度高(10倍于Si)
• 更宽的能带隙(3倍于Si)
• 热导率高(3倍于Si)
从目前电压等级4Kv以下的应用来看,SiC MOSET有取代Si MOSFET的趋势。SiC MOSFET有着卓越的开关损耗和超小的导通损耗。目前,SiC MOSFET大批量应用的最大障碍还是居高不下的价格。但综合评估整个系统成本, SiC MOSFET能够带来系统整个体积和其他成本的下降。
图1显示的是使用SiC MOSFET替代IGBT的逆变器BOOST电路应用,其中开关管和整流二极管分别使用了CREE的C2M0080120D和C4D10120D。
图1:使用SiC功率器件(开关频率100KHz)的10Kw光伏逆变器
为了有效降低系统成本和提高功率密度,需要尽可能提高产品的开关频率,降低使用电抗器的感量和体积。传统的Si IGBT开关频率受开关损耗的限制只能做到10~20kHz,而SiC mosfet可以将开关频率提高到100~200kHz,且开关损耗很低。根据以下计算公式:
开关频率的提高,可以有效减少电感器的体积和重量,同时实现比Si IGBT更高的效率。
图2显示的是功率为5Kw的逆变器使用的电抗器,分别在20kHz和100kHz两种开关频率下的电感参数:
图2:20kHz和100kHz两种开关频率的电感对比
图3:两款电感的实物尺寸对比
通过上述的对比,可以看出使用CREE SiC器件提高开关频率,可以有效减小系统体积,使光伏逆变器实现超高的功率密度。
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北冥之鲲 Lv8 2019-03-14碳化硅功率器件可以降低导通损耗,提高开关频率,适合高功率密度电源设计。
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小李飞刀 Lv8. 研究员 2019-06-12学习
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maomao Lv8. 研究员 2019-05-17学习
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用户63962724 Lv3. 高级工程师 2019-05-14学习了
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用户56731903 Lv9. 科学家 2019-02-27了解一下!
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铪铪 Lv5. 技术专家 2019-02-24学习
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jishizhong Lv9 2019-02-24sic是大方向
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yingqiming Lv7. 资深专家 2019-01-15不错
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