【产品】汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore™2，具有低开关损耗、低温度依赖性特点，工作结温达175℃

时间： 2022-10-25 来源：基本半导体公众号

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汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块,Pcore™2,BMF600R12MCC4,BMF400R12MCC4

汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块 Pcore™2是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。

该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB陶瓷板，可适配标准CAV应用型封装，可有效降低新能源商用车主驱电控、燃料电池能源管理系统应用中的功率器件温升和损耗。

Pcore™2系列产品具有低开关损耗、可高速开关、低温度依赖性、高可靠性等特点，工作结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上替代相同封装的IGBT模块，从而帮助客户有效缩短产品开发周期，提高工作效率。

产品型号

•BMF600R12MCC4

•BMF400R12MCC4

产品特点

沟槽型、低R_DS(on)碳化硅MOSFET芯片
双面有压型银烧结
高性能Si₃N₄AMB陶瓷板
高导热型纳米银介质层
高密度铜线键合技术
DTS（Die Top System）技术
直接铜底板散热结构
适配标准CAV应用型封装

应用优势

延长器件寿命5倍
低开关损耗
低导通电阻
可高速开关
低温度依赖性
工作结温可达175℃
高可靠性

应用领域

新能源商用车的动力驱动系统
燃料电池电能系统
移动设备电推进系统
光伏及储能逆变系统

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全部评论（1）

妮妮11 Lv5. 技术专家 2022-11-05

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