【产品】SiC肖特基势垒二极管SCS220KGHR、SCS220KE2HR,正向压降不超过1.9V,超低反向恢复电流
罗姆(ROHM)是全球著名半导体厂商之一,旗下产品线丰富,涵盖功率半导体,集成IC,电源模块、光学器件等多个领域,秉持质量第一的方针,为全球客户提供优质的电子器件。SCS220KGHR、SCS220KE2HR是罗姆公司推出的两款碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管,反向重复峰值电压高达1200V,具有超低的反向恢复电流和恢复时间,可替代现有的硅二极管应用在车载充电器、DC/DC变换器、无线充电器和电动车充电设备等产品中,可显著的减少产品的EMI问题,进一步优化设备的效率。
SCS220KGHR内部集成一个SiC肖特基二极管,采用TO-220AC封装,阴极输出管脚采用金属片,用以加强散热,可承载更高电流。SCS220KE2HR内部集成两个独立的SiC肖特基二极管,采用TO-247封装,具有更大的尺寸和可靠性。两款二极管均通过AEC-Q101车规级认证。
两款二极管主要电气参数如下表所示:(最大额定值 Tj=25℃)
*1:左侧为单管脚数值,右侧为双管脚数值
SCS220KGHR、SCS220KE2HR两款SiC肖特基势垒二极管具有低正向压降和超低反向恢复电流的优点。两个二极管正向压降均为1.4V(典型值 、Tj=25℃),低正向压降能有效的降低二极管的导通损耗与发热。SCS220KGHR的总电容电荷为65nC(典型值),SCS220KE2HR为34nC(典型值),由其所产生的反向恢复电流可忽略不计。
两款SiC肖特基势垒二极管的VF-IF曲线
图1 SCS220KGHR二极管VF-IF特征曲线 图2 SCS220KE2HR二极管VF-IF特征曲线(单管脚)
从上面的VF-IF曲线可见,正向电流和环境温度对肖特基势垒二极管的正向电压影响明显,但两款肖特基势垒二极管在最大连续正向电流和最高175℃环境温度下,正向电压不超过1.9V( SCS220KGHR正向电流20A时,SCS220KE2HR正向电流10A时)。
两款肖特基势垒二极管VR-IR曲线
图3 SCS220KGHR二极管VR-IR曲线 图4 SCS220KE2HR二极管VR-QC曲线
从上图可见,肖特基势垒二极管的反向电流受反向电压和温度的影响明显。在VR=1200V、Ta=175℃下,SCS220KGHR约为260uA,SCS220KE2HR约为130uA,整体上在很低的水平;在正常应用的工作条件下,如Ta=75℃、VR=900V,不足1uA,超低的反向恢复电流能显著的减少EMI干扰,降低器件的应力,提高设备效率。
SCS220KGHR、SCS220KE2HR的开关时间典型值分别为18ns、15ns,具有高开关速度,热阻典型值分别为0.62℃/W和0.45℃/W(双管脚),超低的热阻能便于器件快速散热,降低热失控的风险;同时最高工作结温达到175℃,适应大功率设备等苛刻的应用环境。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由楠木II提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用TO-247N封装的1200V汽车级SiC肖特基势垒二极管SCS230/240KE2HR
SCS230KE2HR和SCS240KE2HR是ROHM公司推出的汽车级SiC肖特基势垒二极管,其反向电压最大额定值都为1200V,均采用TO-247N封装,可用于车载充电器、DC/DC转换器、无线充电器及电动汽车充电器等场合。
【产品】正向电压低至1.35V SiC肖特基势垒二极管SCS3,非常适用于各种电源装置的PFC电路
ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路的、第3代SiC肖特基势垒二极管(以下称SCS3。SCS3不仅继承了业界最低正向电压(VF=1.35V、25℃)的特性,同时还确保了高抗浪涌电流特性。
【产品】ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)RGWxx65C系列
ROHM开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”,且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”,损耗比以往IGBT产品低67%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗。
【元件】采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
ROHM开发出引脚间爬电距离更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。
【经验】SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停,实现了Si-SBD、Si-PND无法攀登的高耐压范围
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压,并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。本文就SCS3系列的特点、应用范围展望等展开探讨。
【元件】ROHM新推支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管,确保最小5.1mm爬电距离
ROHM开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(SBD)。新产品去除了以往封装底部的中心引脚,采用了ROHM原创的封装形状,将爬电距离延长至最小5.1mm,约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离,可以抑制引脚之间的漏电起痕(沿面放电),因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时,无需通过树脂灌封进行绝缘处理。
ROHM SiC肖特基势垒二极管的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时,可靠性也是非常重要的因素。JEITA ED-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准,是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。从文中给出的可靠性数据可以看出,已实施了评估的ROHM的SiC-SBD,在与Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中,确保了充分的可靠性。
【元件】有助于车载和工业设备降低功耗,内置SiC二极管的IGBT,可同时实现高效率和低成本
ROHM的650V耐压Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”融合了IGBT和SiC SBD特性上的优点,并实现了一体化封装。由于已经在元器件层面优化了需要进行精密电路设计的部分,因此用户使用该系列产品可以轻松构建性价比高的功率转换系统。
【应用】罗姆1200V SiC肖特基势垒二极管用于充电桩充电模块可降低关断和通态损耗
在PFC VIENNA的高频二极管和LLC副边整流二极管中应用ROHM的SiC肖特基势垒二极管SCS240KE2C,具有低导通电阻,体积小,效率高,发热量小等优势,相比普通Si材料器件具有更低的VF和IR,更好的浪涌能力,适合充电桩充电模块等要求较高的应用。
【经验】SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si二极管的比较
本文从特征高速性和高耐压讲述了SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si二极管的比较,SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。并展示ROHM推出的1200V耐压SiC-SBD SCS210KG技术规格。
【经验】SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si-PND的正向电压特性的区别
本文对ROHM推出的SiC肖特基势垒二极管最基本的特性以及SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si-PND正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD的VF随着温度升高而上升,但Si-PND(FRD)的VF是下降的。高温下SiC-SBD的VF上升会使IFSM下降,但不会像VF下降的Si-PND(FRD)那样热失控。SiC-SBD可以说是目前情况下降低VF、最有助于降低损耗的功率二极管。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论