【产品】漏源电压200V的N沟道MOSFET,漏极电流40A,RDS仅为50mΩ

2020-11-23 无锡紫光微
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VDMOSFET是一种电流垂直流动的双扩散器件,是一种压控器件。在适当的栅极电压的控制下,半导体表面被反转,形成一个导电通道,并在漏极和源极之间流动适量的电流。与双极型晶体管相比,它的开关速度和开关损耗都很小。输入阻抗高,驱动功率低,频率特性好,特别是具有负温度系数。


无锡紫光微电子推出的TMA40N20HG是一款N沟道MOSFET,其漏源电压200V,采用专有的新平面技术以及快速恢复体二极管,该MOSFET的RDS(ON)在VGS = 10V时典型值仅为50mΩ,其低栅极电荷可将开关损耗降至最低。产品主要应用于DC-DC转换器、UPS用DC-AC逆变器、开关电源和电机控制等领域。


图1 TMA40N20HG电气原理图和封装信息


产品特点:

专有新平面技术
RDS(ON),典型值:50mΩ@ VGS = 10V
低栅极电荷将开关损耗降至最低
快速恢复体二极管


TMA40N20HG型号N沟道MOSFET最大额定值(除非另有规定,否则Ta=25℃):


注:

1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制

2.L=1mH, VDD=30V, RG= 25Ω,初始TJ = 25°C


机械尺寸图:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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品牌:无锡紫光微

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品牌:RENESAS

品类:MOSFET

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品牌:Nexperia

品类:场效应管

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品牌:RENESAS

品类:MOSFET

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品牌:捷捷微电

品类:场效应管

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品牌:Nexperia

品类:N_MOSFET

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品牌:INFINEON

品类:晶体管

价格:¥10.3000

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品牌:捷捷微电

品类:场效应管

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品牌:ONSEMI

品类:绝缘栅场效应管

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品牌:DIODES

品类:场效应管

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品牌:INFINEON

品类:场效应管

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低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

LED数码管定制

可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数,每段亮度0.8~30mcd,主波长470~640nm,电压2~10.2V。

最小起订量: 1000 提交需求>

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