【产品】SOT-23S封装,P沟道MOSFET AM2311,导通电阻低至 110mΩ

2019-07-18 AiT
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AM2311AIT公司推出的P沟道增强型MOSFET,采用超高密度单元设计,大大降低其导通电阻;在25℃的环境温度下,AM2311可以承受-16V的极限漏源电压、±8V的极限栅源电压以及-3A的极限漏极连续电流,可应用于电源管理,便携式设备和电池供电系统中。AM2311采用SOT-23S封装,其引脚分布如图1所示,

图1 AM2311引脚分布


AM2311产品特性

·-16V/-3A,

  VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 110mΩ(最大值)

  VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 140mΩ(最大值)

·超高密度单元设计,导通电阻低

·可靠而稳定

·采用SOT-23S封装


AM2311应用领域

·电源管理

·便携式设备

·电池供电系统


AM2311订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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全部评论(1

  • maomao Lv8. 研究员 2019-07-18
    支持下~~~
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