【产品】SOT-23S封装，P沟道MOSFET AM2311，导通电阻低至 110mΩ
AM2311是AIT公司推出的P沟道增强型MOSFET，采用超高密度单元设计，大大降低其导通电阻；在25℃的环境温度下，AM2311可以承受-16V的极限漏源电压、±8V的极限栅源电压以及-3A的极限漏极连续电流，可应用于电源管理，便携式设备和电池供电系统中。AM2311采用SOT-23S封装，其引脚分布如图1所示，
图1 AM2311引脚分布
AM2311产品特性
·-16V/-3A,
VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 110mΩ(最大值)
VGS = -2.5V时，RDS(ON) = 140mΩ(最大值)
·超高密度单元设计，导通电阻低
·可靠而稳定
·采用SOT-23S封装
AM2311应用领域
·电源管理
·便携式设备
·电池供电系统
AM2311订购信息
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