【产品】可降低导通电阻的最新第三代沟槽结构SiC-MOSFET SCT和SCH系列

时间： 2018-12-09 来源：ROHM

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本文将介绍ROHM最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。ROHM已实现采用独有双沟槽结构的SiC-MOSFET的量产。沟槽结构的SiC-MOSFET与DMOS结构的产品相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。

独有的双沟槽结构SiC-MOSFET

在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。

然而，普通的单沟槽结构由于栅极沟槽底部电场集中而存在长期可靠性相关的课题。针对这类课题，ROHM开发的双沟槽结构通过在源极部分也设置沟槽结构，缓和了栅极沟槽底部的电场集中问题，确保了长期可靠性，从而成功投入量产。

这款采用双沟槽结构的SiC-MOSFET，与正在量产中的第2代平面型（DMOS结构）SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。

实际的SiC-MOSFET产品

下面是可供应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。

一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC-MOSFET。

具体型号：SCT2H12NZ,SCT2H12NY,SCT2750NY,SCT2450KE,SCT2280KE,SCT2160KE,SCT2080KE,SCH2080KE,SCT2120AF,SCT3160KL,SCT3080KL,SCT3040KL,SCT3030KL,SCT3022KL,SCT3120AL,SCT3080AL,SCT3060AL,SCT3030AL,SCT3022AL,SCT3017AL

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型号- RB168VAM150TR,LTR18EZPFLR470,MCR01MZPF2202,MCR01MZPF2201,MCR01MZPF2002,NON-C1005,MCR01MZPF6801,BD71L4LG-1GTR,MCR01MZPF4700,MCR01MZPF6800,NON-C2012,MCR01MZPF4701,MCR01MZPF4702,MCR01MZPF6802,2SCR572D3TL1,BSMXXXD12P2GXXX,BSMXXXC12P2EXXX,NFM18CC223R1C3D,MCR01MZPF1000,UMK212B7105KGHT,EMZ6.8NTL,NON-C1608,NON-BSM300,MCR01MZPF1502,UMK105CH101JVHF,BSM180C12P2E202,TFZVTR30B,EMK212BBJ106KGHT,RHU003N03FRAT106,MCR01MZPF3600,UMJ316BC7475KLHTE,LTR18EZPF68R0,MCR03EZPJ000,MCR03EZPFX4702,EMK212AB7475KGHT,3408-6002LCPL,BM60054AFV-CE2,BSM400D12P2G003,BU4S11G2-TR,MCR01MZPF2701,RF071MM2STR,UMK107B7102KAHT,MCR03EZPFX1003,2SAR572D3TL1,MCR03EZPFL3R90,BSM300D12P2E001,NON-LTR18,UMK105B7104KVHF,BU4S81G2-TR,BSMXXXC12P2GXXX,BD450M2EFJ-CE2,BSMXXXD12P2EXXX,S-19110PABH-M6T1U4,MCR01MZPF5101,MCR03EZPFX3301,MCR01MZPJ000,MCR03EZPFX1000,NON-MCR10,BSMGD2G12D24-EVK001,RFN1LAM7STR,MCR01MZPF3902,MCR01MZPF1003,RB160MM-40TR,MCR01MZPF1001,BU7261SG-TR,MCR01MZPF5602,BD7F200EFJ-LBE2,TFZVTR12B,MCR10EZPF6801,LTR18EZPF2701,RB160VAM-60TR,MCR10EZPF4701,MCR01MZPF3901,MCR01MZPF1801,HFTR4CA,TFZVTR6.2B,GMK107AB7105KAHT,BSM180D12P2E002,S-19700A00A-E8T1U4,MCR01MZPF10R0,TMK107B7474KAHT,NON-MCR03,NON-MCR01

SEP.2019 - ROHM - 用户指南 - Rev.002 代理服务技术支持采购服务

A-011。图腾柱无桥PFC Vin=200V，Iin=100A，低频引脚上的二极管整流Rohm解决方案模拟器原理图信息

描述- 本资料提供了ROHM公司针对Totem-Pole Bridgeless PFC电路的解决方案，包括电路图、可选择的元器件及其特性。资料详细介绍了SiC MOSFET和Si-FRD二极管的选择，并提供了仿真波形和损耗计算模型。此外，还包含了如何更改电路中元器件的说明以及注意事项。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,RFN10TF6S,RFNL15TJ6S,SCT2450KE,RFNL20TJ6S,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,RFN20TF6S,SCT4026DE,SCT3060AL,RFN20TJ6S,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE,RFNL10TJ6S

2024. Oct - ROHM - 电路原理图 - Rev.005 代理服务技术支持采购服务

【经验】SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别：驱动电压和内部栅极电阻

本文将介绍ROHM推出的SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。

2018-12-09 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

SCT2H12NZ 1700V高耐压SiC MOSFET

描述- 本资料提供截至2016年8月1日的罗姆产品信息，包含产品规格和性能介绍。资料强调内容准确性，但不对因错误或打字差错导致的损失负责。资料内容不构成知识产权的准许使用承诺，且对于涉及外国汇兑及外国贸易法的产品或技术，需取得相应许可。

型号- SCT2280KE,SCT212AF,SCT2450KE,SCT2160KEAHR,SCT2450KEAHR,SCT2H12NZ,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3040KL,SCT3030KL,BD7682FJ-LB-EVK-402,SCH2080KE,SCT2H12NYSCT2750NY,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCT2160KE

08.2016 - ROHM - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

A-010。图腾柱无桥PFC Vin=200V，Iin=100A，低频引脚上的同步FET Rohm解决方案模拟器原理图信息

描述- 本资料介绍了ROHM的Totem-Pole Bridgeless PFC（同步MOSFET）解决方案，包括可选的器件、仿真波形和损失计算模型。资料详细列出了多种SiC MOSFET和SJ-MOSFET的产品型号及其特性，并提供了如何更改仿真电路中器件的说明。此外，还包含了损失计算模型的输出示例，以及注意事项和免责声明。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,R6009JNX,SCT2450KE,R6050JNZ4,SCT2H12NZ,SCT3040KL,R6004JNX,SCT3080KL,R6006JNX,R6025JNX,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,R6030JNZ4,SCT4026DE,R6018JNX,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE,R6020JNX

2024. Oct - ROHM - 电路原理图 - Rev.005 代理服务技术支持采购服务

ROHM SiC功率器件：SiC肖特基二极管、SiC-MOSFET、SiC功率模块，覆盖低耐压到1000V高耐压产品

ROHM可提供多种类型已经在售的SiC功率器件，在业内率先推出了采用SiC（碳化硅）半导体技术的产品，实现从低耐压器件到耐压超过1000V的高耐压器件的广泛系列。包括SiC肖特基二极管、SiC-MOSFET、SiC功率模块。世强提供小量快购、批量采购以及专业技术支持。

2018-10-30 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

A-005。升压PFC Vin=200V，Iin=2.5A，DCM（同步FET）Rohm解决方案仿真器原理图信息

描述- 本资料提供了ROHM Solution Simulator的电路图信息，包括一个Boost PFC电路的模拟参数和设置。该电路采用同步FETs，输入电压为200V，输入电流为2.5A，工作在DCM模式。资料详细描述了电路的各个参数，如开关频率、温度、驱动电压等，并提供了可选的元器件和产品型号。此外，还展示了电路的仿真波形和损耗计算模型，以及相关的注意事项和免责声明。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT4013DE,SCT3030AL,SCT2450KE,SCT2H12NZ,SCT3040KL,SCT3080KL,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT2160KE,SCT4018KE,SCT2120AF,SCT4045DE,SCT3022AL,SCT4026DE,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,SCT4062KE

2024. Oct - ROHM - 电路原理图 - Rev.005 代理服务技术支持采购服务

图腾柱无桥PFC模拟电路

描述- 本资料介绍了Totem-Pole桥式无桥PFC电路的仿真参数和可选器件。内容包括默认仿真参数设置、电路组件、器件选择范围和注意事项。资料还提供了如何更改器件的说明，并强调了使用产品时的安全措施和注意事项。

型号- SCT3160KL,SCT2280KE,SCT3030AL,R6009JNX,SCT2450KE,R6050JNZ4,SCT2H12NZ,SCT3040KL,R6004JNX,SCT3080KL,R6006JNX,R6025JNX,SCT3017AL,SCT2160KE,SCT2120AF,SCT3022AL,R6030JNZ4,R6018JNX,SCT3060AL,SCT3080AL,SCT2080KE,SCT3022KL,SCT3120AL,SCT3030KL,SCT3105KL,SCT2750NY,R6020JNX

2021. Oct - ROHM - 电路原理图 - Rev.003 代理服务技术支持采购服务

BM2SC12xFP2-LBZ系列准谐振AC/DC转换器内置1700 v SiC-MOSFET

描述- 该资料介绍了ROHM公司生产的BM2SC12xFP2-LBZ系列准谐振AC/DC转换器。这款产品适用于工业市场，提供长期支持。它内置1700V碳化硅(SiC)MOSFET，具有低EMI、软启动、过流保护等功能，适用于各种带电源插座的产品。

型号- BM2SC122FP2-LBZE2,BM2SC121FP2-LBZ,BM2SC122FP2-LBZ,BM2SC124FP2-LBZE2,BM2SC121FP2-LBZE2,BM2SC12XFP2-LBZ,BM2SC12XFP2-LBZE2,BM2SC124FP2-LBZ,BM2SC123FP2-LBZE2,BM2SC123FP2-LBZ,BM2SC12XFP2-LBZ SERIES

09.Apr.2021 - ROHM - 数据手册 - Rev.001 代理服务技术支持采购服务

A-003。升压PFC VIN=200V，IIN=2.5A，CCM（同步FET）Rohm解决方案仿真器原理图信息

描述- 本资料提供ROHM Solution Simulator的Boost PFC电路仿真信息，包括输入电压、电流、输出电压、开关频率等参数设置，以及电路中使用的器件如SiC MOSFET、门驱动器、电感、电容等的选择和特性。资料还展示了仿真波形、效率、功耗等性能指标，并提供了如何更改器件和计算损耗的说明。