【产品】600V N沟道增强型MOSFET AM60R380F系列,具有快速开关且工作结温150℃

2021-12-12 AiT
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AIT推出的AM60R380F系列为600V,N沟道增强型MOSFET。除非另有说明,否则当芯片封装表面温度为25℃时,AM60R380F的绝对最大额定参数为:漏源电压600V、连续漏极电流11A、脉冲漏极电流33A、栅源电压±30V、TO-251\TO-252\TO-220\TO-263封装,耗散功率为100W、TO-220F封装耗散功率为31W。工作结温150℃,存储温度-55°C~150°C,焊接最高温度300℃。


产品描述:

VDS@ TJ.max =650V
VGS=±30V
ID(A)= 11A
RDS(ON)=0.32Ω (典型值) @ VGS=10V

 
AM60R380F采用 TO-220, TO-220F, TO-251, TO-252,TO-263 封装,各封装引脚分布如下图:

产品特性:

快速开关

100%雪崩测试

改进的dv/dt特性

采用TO-220, TO-220F, TO-251, TO-252 ,TO-263封装。


产品应用:

高频开关电源


订购信息:

N沟道MOSFET:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 火锅工程师 Lv7. 资深专家 2022-12-30
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