【产品】600V N沟道增强型MOSFET AM60R380F系列，具有快速开关且工作结温150℃
AIT推出的AM60R380F系列为600V，N沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当芯片封装表面温度为25℃时，AM60R380F的绝对最大额定参数为：漏源电压600V、连续漏极电流11A、脉冲漏极电流33A、栅源电压±30V、TO-251\TO-252\TO-220\TO-263封装，耗散功率为100W、TO-220F封装耗散功率为31W。工作结温150℃，存储温度-55°C~150°C，焊接最高温度300℃。
产品描述：
VDS@ TJ.max =650V
VGS=±30V
ID(A)= 11A
RDS(ON)=0.32Ω (典型值) @ VGS=10V
AM60R380F采用 TO-220, TO-220F, TO-251, TO-252，TO-263 封装，各封装引脚分布如下图：
产品特性：
快速开关
100%雪崩测试
改进的dv/dt特性
采用TO-220, TO-220F, TO-251, TO-252 ，TO-263封装。
产品应用：
高频开关电源
订购信息：
N沟道MOSFET：
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型号- AM13N50T3U,AM13N50T3VU,AM13N50T3FU,AM13N50T3FVU,AM13N50
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