【产品】双路N沟道/P沟道MOSFET，导通电阻低至0.46Ω
CMLDM7484是CENTRAL半导体公司推出的一款双路N沟道/P沟道MOSFET，其内部的两个MOSFETs（Q1和Q2）均具有非常低的rDS（ON），以及较低的阈值电压。CMLDM7484双路MOSFET采用小型SOT-563表面贴装封装，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
CENTRAL推出的CMLDM7484双路MOSFET的栅源电压VGS为8.0V，连续漏极电流ID为450mA。该产品具有低阈值电压，当VDS=VGS, ID=250μA时，Q1和Q2的VGS(th)最小值均为0.5V。CMLDM7484双路MOSFET具有非常低的导通电阻rDS（ON），Q1的导通电阻最大值为0.46Ω@VGS=4.5V，ID=200mA，Q2的导通电阻最大值为1.1Ω@VGS=4.5V，ID=430mA，低导通电阻使该器件拥有较小的开关损耗。另外，CMLDM7484双路MOSFET还具有高达2kV的ESD保护。
CENTRAL推出的CMLDM7484作为一款双路N沟道/P沟道MOSFET，其工作和存储结温均为-65℃~+150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。其功耗仅为350mW，功耗较低，可提升产品的能源利用效率。CMLDM7484双路MOSFET有着极好的开关性能，其Q1的栅极电荷Qgs典型值为0.15nC，Q2的栅极电荷Qgs典型值为0.35nC。CMLDM7484双路MOSFET主要用于负载/电源开关，电源转换器电路，电池供电的便携式设备领域。
图1 CMLDM7484双路MOSFET实物图
图2 CMLDM7484双路MOSFET内部结构图
CMLDM7484双路MOSFET的产品特性：
• 高达2kV的ESD保护
• 功耗为350mW
• 非常低的rDS（ON）
• 低阈值电压
• 逻辑电平兼容
• 小型SOT-563表面贴装封装
CMLDM7484双路MOSFET的应用领域：
• 负载/电源开关
• 电源转换器电路
• 电池供电的便携式设备
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