【产品】-30V/-90A NCEP30P90K P沟道超沟槽功率MOSFET，提供最高效的高频开关性能

时间： 2023-06-01 来源：NCE

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NCE推出的NCEP30P90K P沟道超沟槽功率MOSFET采用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能。由于R_DS(ON)和Qg的组合极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适用于高频开关和同步整流。

一般特征

●VDS=-30V，ID=-90A

R_DS(ON)=5.1mΩ（典型值）@VGS=-10V

R_DS(ON)=7.4mΩ（典型值）@VGS=-4.5V

●出色的栅极电荷xR_DS(on)(FOM)产品

●极低的导通电阻R_DS(on)

●175℃工作温度

●无铅电镀引线

●100% UIS测试

●100% ΔVds测试

应用

DC/DC转换器

高频开关和同步整流的理想选择

封装标识及订购信息

绝对最大额定值（除非另有说明，否则Tc=25℃）

热特性

电气参数(T_C=25℃，除非特别说明)

注意：

1. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

2. 表面安装在FR4板上，t≤10秒。

3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。

4. 以设计为保证，不以生产为准

5. EAS条件：Tj=25，VDD=-20V，VG=-10V，L=0.5mH，Rg=25Ω

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