【产品】30V/±80A的N沟道中功率MOSFET RS1E280BN，导通电阻最大值仅为2.3mΩ

时间： 2019-11-21 来源：ROHM

技术问答

ROHM公司近期推出了一款N沟道中功率MOSFET—RS1E280BN，静态漏源导通电阻最大值仅为2.3mΩ（V_GS = 10V, I_D = 28A），导通损耗小且自身发热少。且产品为高功率小型封装（HSOP8封装），结壳热阻最大可达4.2℃/W，散热性好，适用于开关类应用。

图1 RS1E280BN中功率MOSFET产品图及内部电路图

RS1E280BN N沟道中功率MOSFET漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为±80A（Tc=25℃），栅源电压最大额定值为±20V，适用于大电流应用场合。此外，产品具有低电容特性，其输入电容典型值为5100pF，总栅极电荷典型值为94nC（V_GS=10V），使得晶体管对驱动电流的要求低，可以更加显著的降低开关损耗，提升电源效率。且该功率MOSFET响应速度很快：其上升/下降时间典型值分别为100/28ns。

RS1E280BN N沟道中功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

高功率小型封装（HSOP8）

无铅电镀；符合RoHS标准

不含卤素

RS1E280BN N沟道中功率MOSFET应用领域：

开关类应用

RS1E280BN N沟道中功率MOSFET订购信息：

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