【产品】漏源电压650V/1200V的SiC功率MOSFET，极小封装适用于受限空间设计

时间： 2019-03-25 来源：ROHM

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SiC功率MOSFET,SiC MOSFET,SCT3030ALHR,SCT3030KLHR

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，SCT3030ALHR / SCT3030KLHR是ROHM推出的两款N沟道SiC功率MOSFET。与Si材料相比，SiC材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。SCT3030ALHR / SCT3030KLHR符合AEC-Q101标准，具有高耐压，低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于汽车应用和开关电源。

图1 SCT3030ALHR / SCT3030KLHR SiC功率MOSFET的产品图

图2 SCT3030ALHR / SCT3030KLHR的符号图

两款SiC功率MOSFET均采用TO-247N封装，封装尺寸极小，适用于各种受限空间的系统设计。

电气特性方面，两款SiC功率MOSFET的结温均为175℃，存储温度均为-55℃~175℃，符合工业级温度要求，能够适应严苛的温度环境。25℃下两款SiC功率MOSFET的漏源电压V_DSS，连续漏极电流I_D，零栅极电压漏电流I_DSS，栅极阈值电压V_{GS (th)}，导通电阻R_DS（ON），结壳热阻 R_thJC不同，具体如图3。

图3 25℃下两款SiC功率MOSFET的电气参数

SCT3030ALHR / SCT3030KLHR SiC功率MOSFET的产品特性：

符合AEC-Q101标准

低导通电阻
开关速度快
快速反向恢复
易于并联
驱动简单
无铅铅镀层; 符合RoHS标准

SCT3030ALHR / SCT3030KLHR SiC功率MOSFET的产品应用：

汽车应用

开关电源

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