【产品】漏源电压650V/1200V的SiC功率MOSFET，极小封装适用于受限空间设计
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，SCT3030ALHR / SCT3030KLHR是ROHM推出的两款N沟道SiC功率MOSFET。与Si材料相比，SiC材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。SCT3030ALHR / SCT3030KLHR符合AEC-Q101标准，具有高耐压，低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于汽车应用和开关电源。
图1 SCT3030ALHR / SCT3030KLHR SiC功率MOSFET的产品图
图2 SCT3030ALHR / SCT3030KLHR的符号图
两款SiC功率MOSFET均采用TO-247N封装，封装尺寸极小，适用于各种受限空间的系统设计。
电气特性方面，两款SiC功率MOSFET的结温均为175℃，存储温度均为-55℃~175℃，符合工业级温度要求，能够适应严苛的温度环境。25℃下两款SiC功率MOSFET的漏源电压VDSS，连续漏极电流ID，零栅极电压漏电流IDSS，栅极阈值电压VGS (th)，导通电阻RDS（ON），结壳热阻 RthJC不同，具体如图3。
图3 25℃下两款SiC功率MOSFET的电气参数
SCT3030ALHR / SCT3030KLHR SiC功率MOSFET的产品特性：
符合AEC-Q101标准
低导通电阻
开关速度快
快速反向恢复
易于并联
驱动简单
无铅铅镀层; 符合RoHS标准
SCT3030ALHR / SCT3030KLHR SiC功率MOSFET的产品应用：
汽车应用
开关电源
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型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
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