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【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
产品 发布时间 : 2024-10-09
【元件】瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品,具备业界较低的损耗水平
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产品 发布时间 : 2024-03-13
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产品 发布时间 : 2024-01-17
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4,TO247-4封装
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瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新品,比TO263-7封装体积小60%
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新产品 发布时间 : 2023-03-08
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
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