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为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
【元件】瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品，具备业界较低的损耗水平
瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V~18V，兼容性更好。
【元件】瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET，TO263-7封装助力高效高密应用
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为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
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SiC二极管在光伏升压变换器设计中已得到了广泛的应用，SiC MOSFET在许多高性能逆变器的开发中也开始得到应用。本文介绍了使用TO-247封装SiC MOSFET和瞻芯电子IV1E系列SiC模组的150kW逆变器解决方案。
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新品，比TO263-7封装体积小60%
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