【选型】高隔离低成本的国产单刀双掷射频开关可pin-pin替换Qorvo的RFSW6024，插损仅0.83dB
目前的5G小基站设备都是采用TDD模式，接收和发射链路通过射频开关来切换，QORVO的单刀双掷开关RFSW6024存在广泛应用，为降低美系器件供货渠道风险和成本，需要国产化替代方案。
针对5G无线通信小基站收发电路切换的应用，国产通量科技推出了单刀双掷射频开关FW3101，采用先进的COMS工艺设计，能够在100MHz-6GHz频段内实现高隔离度、低插损，在2GHz工作频率下，典型插损达到0.78dB，隔离度达到60dB，QFN4*4封装，可以pin to pin替代Qorvo的RFSW6024，以下是两个器件电气参数对比：
从以上参数可以看出通量科技的FW3101和RFSW6024相比在隔离度、开关时间、工作电压、线性等参数基本一致，但插损、回波损耗、功耗等指标上FW3101优于RFSW6024。开关一般用于TDD模式小基站收发切换，位于低噪声放大器前级，因此开关的插损会直接影响接收噪声系数，FW3101的插损只有0.83dB@3000MHz， 提高TDD小基站的接收灵敏度；开关的驻波参数影响器件在系统内的匹配度，因此要求越小越好，FW3101的回波损耗达到23dB，可以降低系统在工作频段内的增益波动。FW3101和RFSW6024同为QFN4*4封装，PIN脚定义也完全一样，贴片焊接过程中完全兼容，以下是两个器件封装对比。
图1 FW3101和RFSW6024典型封装
从以上对比可以看出，在实际应用电路中，FW3101可实现pin to pin替代RFSW6024，基本不需要改动电路，降低工程师替换设计时间成本。
综上所述，通量科技的单刀双掷射频开关FW3101相对于Qorvo的RFSW6024具有更低的插入损耗和回波损耗指标，同时具有国产器件供货周期短、成本低的优势，可以pin to pin替代RFSW6024，是TDD模式小基站收发切换开关的优秀解决方案。
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提供通量科技驱动放大器、低噪声放大器、射频开关、射频前端模组以及增益放大器选型,工作频段:0.03GHz-8.5GHz,增益:17@0.7GHz-39@2.14GHz,OP0.1dB:35dBm-40dBm,OP1dB:18dBm-32dBm,OIP3:30dBm-61dBm,ACPR:44dBc-64dBc,Icq@3.3V:1 uA-200 uA,Icq@5V:58mA-400mA,NF:0.4dB-21dB,封装:DFN/SOT/QFN
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描述
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P2P对照
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FW2204
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驱动放大器
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对照表 - 通量科技
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