【选型】高隔离低成本的国产单刀双掷射频开关可pin-pin替换Qorvo的RFSW6024,插损仅0.83dB

2020-11-30 世强
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目前的5G小基站设备都是采用TDD模式,接收和发射链路通过射频开关来切换,QORVO的单刀双掷开关RFSW6024存在广泛应用,为降低美系器件供货渠道风险和成本,需要国产化替代方案。

      

针对5G无线通信小基站收发电路切换的应用,国产通量科技推出了单刀双掷射频开关FW3101,采用先进的COMS工艺设计,能够在100MHz-6GHz频段内实现高隔离度、低插损,在2GHz工作频率下,典型插损达到0.78dB,隔离度达到60dB,QFN4*4封装,可以pin to pin替代Qorvo的RFSW6024,以下是两个器件电气参数对比:

从以上参数可以看出通量科技的FW3101和RFSW6024相比在隔离度、开关时间、工作电压、线性等参数基本一致,但插损、回波损耗、功耗等指标上FW3101优于RFSW6024。开关一般用于TDD模式小基站收发切换,位于低噪声放大器前级,因此开关的插损会直接影响接收噪声系数,FW3101的插损只有0.83dB@3000MHz, 提高TDD小基站的接收灵敏度;开关的驻波参数影响器件在系统内的匹配度,因此要求越小越好,FW3101的回波损耗达到23dB,可以降低系统在工作频段内的增益波动。FW3101和RFSW6024同为QFN4*4封装,PIN脚定义也完全一样,贴片焊接过程中完全兼容,以下是两个器件封装对比。

图1 FW3101和RFSW6024典型封装


从以上对比可以看出,在实际应用电路中,FW3101可实现pin to pin替代RFSW6024,基本不需要改动电路,降低工程师替换设计时间成本。

      

综上所述,通量科技的单刀双掷射频开关FW3101相对于Qorvo的RFSW6024具有更低的插入损耗和回波损耗指标,同时具有国产器件供货周期短、成本低的优势,可以pin to pin替代RFSW6024,是TDD模式小基站收发切换开关的优秀解决方案。


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频率(GHz)
Gain(dB)
OP1dB(dBm)
OIP3(dBm)
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Icq@5V(mA)
P2P对照
封装(mm)
FW2204
驱动放大器
0.5W PreDriver
0.4-5.0
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27
40
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