【产品】采用SOT-89封装的高电流硅NPN晶体管CXT5551HC，集电极连续电流IC为1.0A
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的高电流硅NPN晶体管——CXT5551HC，采用SOT-89封装，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，表面贴装封装，专为高压和大电流放大器应用而设计。其产品实物图如图1所示。
图1.CXT5551HC高电流硅NPN晶体管实物图
CXT5551HC高电流硅NPN晶体管的集电极-基极击穿电压VCBO为180V，集电极-发射极电压VCEO为160V，发射极-基极电压VEBO为6.0V。另外，其工作和存储结温的范围为-65 °C~+150 °C，结壳热阻为104°C/W，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在各个电路设计中的可靠性。同时，该器件具有低漏电流，ICBO的最大值为50nA（VCB=120V，TA = 25°C），低的漏电流所造成的危害较小，从而能够较好地保护芯片不受损坏。其封装轮廓和引脚定义如图2所示。
图2.CXT5551HC高电流硅NPN晶体管封装轮廓和引脚定义图
另外，CXT5551HC高电流硅NPN晶体管的特征频率最小值fT为100MHz（VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz），当IC=10mA, IB=1.0mA时，集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值为0.15V。极间电容Cob最大值为15pF（VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz）。CXT5551HC高电流硅NPN晶体管具有很好的频率特性，充放电时间短，开关损耗低。主要应用于高压和大电流放大器等领域。
CXT5551HC 高电流硅NPN晶体管的主要特点：
• 集电极-基极电压VCBO为180V
• 集电极-发射极电压VCEO为160V
• 其耗散功率PD为1.2W（TA=25℃）
• 集电极连续电流IC为1.0A
• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C
• 低漏电流ICBO的最大值为50nA
• 结壳热阻为104°C/W
• 采用SOT-89封装
CXT5551HC 高电流硅NPN晶体管的典型应用：
• 高压和大电流放大器
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