【产品】2.6GHz~3.4GHz的S波段高功率放大器CHZ8012-QJA,饱和输出功率12W
CHZ8012-QJA是UMS公司推出的一款基于GaN和GaAs的S波段准单片功率放大器,其漏极-源极电压最大为30V,栅极-源极电压典型值-3.5V,漏极最大电流典型值为0.95A,栅极最大电流典型值为0mA,脉冲宽度典型值为0.5ms,占空比典型值为10%。功率放大器CHZ8012-QJA在Tcase=+25℃,VDS=26V,ID_Q=180mA,脉冲模式条件下,CHZ8012-QJA高功率放大器的工作频率范围为2.6GHz~3.4GHz,线性增益典型值为16.5dB,饱和输出功率典型值为12W,最大功率工作效率典型值可达到55%。功率放大器CHZ8012-QJA在Tcase=+25℃,RF脉冲模式(400us/15%),AB级(ID_Q=180mA)条件下,小信号增益为16.5dB,输入回波损耗-11.4dB,输出回波损耗-8.5dB。
CHZ8012-QJA高功率放大器采用低成本塑料封装,具有低寄生和低热阻特点,其封装形式为28引脚DFN封装,尺寸大小为7x7mm2,而且符合RoHS标准。功率放大器CHZ8012-QJA的工作温度范围为-30℃~100℃,最大结温温度为200℃,工作温度范围很广,能够满足恶劣环境工作要求,可用于军用雷达系统和商用雷达系统等领域。
图1 CHZ8012-QJA高功率放大器实物封装图
图2 CHZ8012-QJA高功率放大器特性曲线图
CHZ8012-QJA高功率放大器的产品特性及优势:
•频率范围2.6~3.4GHz
•脉冲工作模式
•高功率>12W
•高效率>52%
•DC偏置:Vd最大为30V
•低成本封装,28-DFN,7x7mm2
CHZ8012-QJA高功率放大器的主要应用:
•军用雷达系统
•商用雷达系统
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由jiandan翻译自UMS,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】UMS新款8.5~11.5GHz高功率放大器,输入功率20dBm时提供44dBm的饱和输出功率
UMS推出的CHA8212-99F是一款8.5~11.5GHz、25W输出功率的X波段高功率放大器,输入功率为20dBm时,提供44dBm饱和输出功率和36%功率附加效率。CHA8212-99F专为国防应用、广泛的微波应用和系统而设计。
新产品 发布时间 : 2021-02-06
【产品】2-8GHz高功率射频放大器CHA6015,输出功率37.5dBm
CHA6015-99F是UMS的一款射频高功率放大器,可输出37.5dBm的功率,线性增益可达18.5dB,能覆盖2-8GHz的频率范围。该产品专为国防应用而设计,同时也能够广泛应用于微波系统中。
新产品 发布时间 : 2017-05-24
【产品】四级砷化镓单片驱动高功率放大器CHA5659-98F,输出功率为1.3W
CHA5659-98F是UMS推出的一款四级砷化镓单片驱动高功率放大器,输出功率为1.3W。该产品具有高线性的特点,可以进行增益控制并集成了功率检测器,具备ESD防护功能。CHA5659-98F采用0.15μm GaAs pHEMT工艺生产制造,是一款应用于点对点无线电或者K波段卫星通信的放大器,建议使用CHA3398-98F作为该产品的驱动芯片。
新产品 发布时间 : 2019-07-18
UMS功率放大器(PA)选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品,频率最高可达105GHz,带宽超过20GHz,Gain(dB):10-38.5,Bias(mA):30-2300,Bias(V):2.5-30.
产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain(dB)
|
IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
|
选型表 - UMS 立即选型
UMS新品24-30GHz中功率放大器CHA4396-QDG,非常适合各种微波应用和系统
近期,UMS发布了一款中功率放大器,频率为24-30GHz,型号为CHA4396-QDG。CHA4396-QDG是一款三级GaAs中等功率放大器,工作频率为24GHz至30GHz。该放大器可提供22dBm的最大输出功率和17%的功率附加效率,并在1dB增益压缩点提供21dBm的输出功率。该电路具有22dB的典型小信号增益和31dBm的输出三阶截取点。
产品 发布时间 : 2024-11-07
【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频大功率放大器匹配设计
UMS的CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器,工作频段可以达到0~5GHz,在CW波的工作条件下,最高输出功率典型值可以达到35W,线性增益典型值可以达到16dB。
应用方案 发布时间 : 2018-02-10
UMS CHA5659-98F 36-43.5GHz功率放大器 SMD无铅封装的砷化镓单片微波IC数据手册
描述- CHA5659-98F 36-43.5GHz Power Amplifier GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless pac
型号- CHA5659-98F,CHA5659-98F/00
CHA6682-QKB 24 - 27.5GHz 4W Linear Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in QFN package
型号- CHA6682-QKB/XY,CHA6682-QKB
High performance MMICs in L, S, C, X,Ku, Ka and Q Bands
型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA8252-99F,CHT4660-QAG,CHA8254-99F,CHR3693-QDG,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4253A98F,CHA4253-QQG,CHR3352-QEG,CHR3693-99F,CHW4212-QKA,CHA8012-99F,CHA2595-QDG,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA4107-QDG,CHA8362-99F,CHA5005-QDG,CHA3666-99F,CHW4313-QAG,CHA8312-99F,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7453-99F,CHA6354-QQA,CHA6653-98F,CHT3091-FAB,CHA3395-98F/QDG,CHA2352-98F,CHW4312-QKA,CHA4253-FAB,CHA8352-99F,CHW4213-QAG,CHA6550-98F,CHR3693-FAB,CHA6282-QCB,CHA7455-99F,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHA2368-98F,CHA8612-QDB,CHA3666-FAB,CHA6357-QKB,CHA6550-QXG
【选型】L至Ka波段HPA最全选型的高功率放大器,频率覆盖2-40GHz
UMS是一家全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商,本文介绍了UMS的功率放大器,工作频率覆盖2-40GHz,饱和输出功率高达42.5dBm,该系列高功放的增益最高可达28dB,OIP3最大为45dBm、P-1dB最大为37.5dBm,这些都使它成为一款性能优异的高功率放大器。可广泛应用到高功率的射频系统中,例如无线通信基站,无线路由器,尤其适用于雷达系统中的信号源。
器件选型 发布时间 : 2016-12-20
CHA8612-QDB 18W X-Band High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in SMD leadless package
型号- CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20
CHA7455-99F 9W 39-43.5GHz High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC
型号- CHA7455-99F,CHA7455-99F/00
【产品】8.5-11.5GHz三级GaN大功率放大器Al1908,可提供25W输出功率,专用于国防应用
UMS公司研制了一种频率为8.5-11.5GHz的三级GaN大功率放大器Al1908。这种高功率放大器通常提供25W的输出功率,相当于37%的功率附加效率。小信号增益大于30dB。总电源为28V/0.5A(静态电流)。该电路是一种适用于高性能系统的多功能放大器。该电路专用于国防应用,也非常适合广泛的微波应用和系统。
新产品 发布时间 : 2020-08-30
CHA7060-QAB 5.6-8.5GHz Power Amplifier:GaN Monolithic Microwave IC in SMD leadless package
型号- CHA4350-QDG,CHA7060-QAB,CHA7060-QAB/XY
CHA8362-99F 27.5-31GHz 25W High Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in Bare Die Form
型号- CHA8362-99F/00,CHA8362-99F
电子商城
现货市场
服务
可定制VC厚度最薄0.25±0.03mm,Qmax 650W,0.4mmVC可设计最大散热面积6000 mm2,铜VC可采用复合毛细结构:蚀刻+铜粉烧结。
最小起订量: 10000 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量: 10000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论