【产品】荣湃新推出Pai8233系列和Pai8211系列隔离驱动器,实现电压瞬变干扰下输出正确波形
电源类产品往往内部使用PWM信号控制功率MOS管,需要将控制信号从低压逻辑侧传输到高压驱动侧。标准数字隔离器虽然可以将控制信号从逻辑侧传输到驱动侧,但输出驱动能力不足无法直接驱动MOS管,必须和额外的MOS管驱动器搭配使用。这样增加了电路的复杂度,制约了产品功率密度的提升。在这样的契机下,荣湃半导体开发了隔离驱动器产品将隔离器和驱动器合二为一。
01传输可靠性高
荣湃半导体Pai8233系列产品为双通道隔离栅极驱动器,驱动侧具有峰值4安培的源电流能力和8安培的漏电流能力,驱动能力较好。Pai8233系列目前可提供8V和6V两种不同的驱动侧欠压保护点,可满足不同电源系统设计的需求。
Pai8233系列双路隔离驱动器采用300mil宽体14引脚封装,满足原副边最小8毫米爬电距离。上下驱动管引脚间最小爬电距离3.4毫米爬电距离,产品适装性好。产品可满足交流5kVrms 1分钟耐压要求,同时可通过8千伏的脉冲电压测试。
Pai8233系列隔离驱动器采用具有自主知识产权的Idivider智能分压技术,将逻辑侧的输入信号传输到驱动侧,提供了较高的时序保真度和传输可靠性。
02抗干扰性能优秀
在实验室环境下,Pai8233系列部分产品实测的传播延时小于20纳秒,输出波形脉宽失真可低于1纳秒。
Pai8233系列双路隔离驱动器可在超过150千伏每微秒的CMTI共模电压瞬变干扰下输出正确的波形,抗干扰性能优秀。
Pai8233系列隔离驱动器的优秀性能,使它可以在电机控制、隔离式DC-DC电源、光伏逆变器和变频器等产品上得到广泛应用。
03改善电源系统的电磁兼容性能
荣湃半导体的Pai8211系列产品为单通道隔离驱动器驱动侧具有峰值6安培的源电流能力和6安培的漏电流能力,驱动能力较好。Pai8211系列产品驱动侧电源欠压保护点为8V,电源供电最高可达33V,逻辑侧供电范围为2.5V到5.5V,可兼容低压PWM控制器。
Pai8211系列产品封装为窄体SOP-8封装
提供高达交流3.75kVrms一分钟的耐压性能,和驱动光耦相比,Pai8211系列产品可以在不影响产品耐压等级的情况下,缩小驱动器占板体积,有利于提高最终产品的功率密度。
Pai8211A具有两个驱动器使能引脚,可同时兼容高电平使能的控制器和低电平使能的控制器,Pai8211A的输出引脚为分离式设计,可以通过串联不同阻值的电阻,分开控制驱动器输出上升沿和下降沿的变化速度,改善电源系统的电磁兼容性能。
得益于荣湃半导体idivider智能分压专利技术,Pai8211系列产品实现了高达100kV/μs的抗共模干扰性能,信号传输可靠性高,Pai8211系列产品可应用于逆变器、UPS不间断电源、HEV电源模块等产品。
荣湃半导体开发的隔离驱动器产品,信号传输可靠性高、抗干扰性能优秀,实现电压瞬变干扰下输出正确波形,满足了不同电源系统设计需求。
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本文重点介绍Silicon Labs电容隔离驱动器Si826x,该产品在封装和功能上与传统的光耦驱动器兼容,但性能和可靠性更优,更能够具有更长的使用寿命。Si8261BBD-C-IS可pin-pin兼容ON FOD8342TR2。
【方案】125kW(1500VDC系统)光伏逆变器优选器件方案
描述- 本方案基于 1500VDC 系统,提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块,内置全 SiC MOS 和二极管,以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构,耐压高达 2400V,在满足1500V 系统耐压需求的基础上,采用了低耐压的 IGBT,实现了较高的开关频率,有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。
型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K
【IC】荣湃推出单通道智能隔离式栅极驱动器Pai8263系列产品,具备高达5700V RMS的隔离耐压能力
荣湃单通道智能隔离式栅极驱动器Pai8263系列产品,设计用于直流工作电压高达2121Vpk的IGBT,Si MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管,芯片内部集成多种保护,如供电欠压保护、退饱和过流保护、软关断、米勒钳位、故障报警等,能够在驱动功率器件的同时监控其工作状态,使其安全运行。适用于电机驱动、光伏逆变、开关电源、车载充电器和充电桩等领域。
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可定制风扇尺寸覆盖18x18x04mm~165x165x25mm,随散热器大小而定制;风扇转速范围:1000 RPM~16500 RPM。支持DC风扇,直流风扇轴流风机,鼓风机以及电脑笔记本风扇等产品定制。
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可定制连接器的间距范围1.25mm~4.5mm、单列/双列列数、焊尾/表面贴装/浮动式等安装方式、镀层、针数等参数,插拔寿命达100万次以上。
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