瞻芯电子1200V大电流的碳化硅MOSFET产品，荣膺“2022年度硬核中国芯：年度最佳功率器件”奖

时间： 2022-11-25 来源：瞻芯电子公众号

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2022年11月15日，第四届硬核中国芯领袖峰会暨2022汽车芯片技术创新与应用论坛圆满落幕。本届峰会汇集半导体全产业链的众多领军者，广邀电子制造企业高管、项目负责人、电子工程师、投资者、资深学者与行业大咖同台演讲，为推动“中国芯”高质量发展贡献真知灼见。

作为压轴环节，“2022年度硬核中国芯评选”获奖榜单重磅揭晓。在本次评选中，上海瞻芯电子科技有限公司及其1200V大电流碳化硅MOSFET产品从135家参评企业、174款产品中脱颖而出，一举斩获了“2022年度最佳功率器件”大奖。

荣获奖项 2022年度最佳功率器件

关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品，并围绕碳化硅功率半导体应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，并先后开发量产了技术指标领先、参数规格齐全，封装形式多样的高可靠SiC MOSFET，SiC SBD和SiC模块产品，其中5款SiC器件通过了车规级（AEC-Q101）认证，相对技术门槛最高的是车规级1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片，其技术指标达到国际一流水平。

同时，瞻芯电子也围绕SiC应用，开发了一系列SiC专用栅极驱动芯片和模拟控制芯片产品，成为业界技术创新的标杆，获得广泛关注。具体包括，业界首款6-8 pin紧凑封装，集成负压产生、短路保护、欠压保护和错误汇报功能的SiC专用驱动芯片。业界首款连续模式（CCM）图腾柱PFC模拟控制芯片，内置精确可靠的模拟控制功能，无需编程，使用简单。首款隔离型栅极驱动芯片。

当前，瞻芯先后进入工业和汽车电子市场，广泛应用于新能源汽车、光储充、工业电源等领域，大批量交付了业界知名客户。截至2022年10月，瞻芯电子开发的碳化硅MOSFET产品已累计出货180万颗以上，驱动芯片累计出货1200万颗以上。

瞻芯电子现已进入快速发展阶段，2021年销售额1300万元，预计2022年销售额近8000万元，同时公司累计完成融资7.25亿元，核心股东包括小米产投、小鹏汽车、国投招商、光速中国、临芯投资、麦格米特、北汽产投、上汽恒旭、宁德时代、广汽资本、金浦投资、浦东科创等重量级产业和财务投资人。

2022年7月，瞻芯电子建成了一座按车规级质量标准设计的晶圆厂，一期设计产能为30万片六英寸晶圆，将进一步加快工艺和器件迭代开发，并提升对重点领域客户的供应能力，标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型，进入中国领先SiC功率半导体公司行列。

瞻芯电子将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅（SiC）功率半导体和芯片解决方案提供商。

获奖产品：1200V 17mΩ SiC MOSFET裸芯（IV1Q12017BAG）

这是专为汽车电子而设计的高可靠性、高品质和高性能器件，具备高耐压（1200V）、大电流（111A）、低电阻（17 mΩ）等特点，最大电流(Id)111A@25℃，工作温度是-55℃-175℃，阈值电压Vth为3.2V@25℃, 2.4V@175℃，栅极总电荷Qg为280nC，非常适合EV主电机驱动，能显著提高主驱的功率密度，减少磁性组件体积和重量，简化电路设计，减少系统总成本。该芯片支持双面散热封装，可突破传统单面封装的功率密度极限。

关于硬核中国芯

“硬核中国芯”由国内领先的半导体电子信息媒体芯师爷发起并主办，是业内聚焦飞速发展中的国产芯企业及相关创新应用项目的产业活动，旨在挖掘、表彰优秀中国芯企业，提升企业在全球范围的影响力，并联接电子终端工厂、高校院所及投资机构等合作伙伴资源对接，助力中国半导体产业发展。

“硬核中国芯”自2019年创办，迄今已成功举办四届，累积吸引约300家IC设计公司申报、30万名专业读者关注，在中国集成电路行业内获得广泛认可。

作为业内兼具高创新性和影响力的产业活动，“硬核中国芯”涵盖中国芯评选+行业双主题峰会+颁奖盛典三大板块，以专题报道、采访策划、全媒体矩阵宣传等专业服务为参选企业提供品牌曝光及资源联接，汇集半导体全产业链领军者直击新形势下中国芯的发展风口，扩大优秀中国芯企业品牌声量。

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描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司，2017 年成立于上海临港，致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，围绕 SiC 应用，为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

March 2024 - 瞻芯电子 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

SiC模块先进DTS+Cu Bonding工艺，解决车规可靠性最后一块拼图？

半导体技术的进步，特别是碳化硅，产生了具有高功率密度的器件，并允许器件在明显更高的结温度下运行。互连技术在设备和组件的不间断运行中起着重要的作用。以DTS技术和铜线键合的功率模块，可作为新一代基于碳化硅的高功率模块提供有效的技术支持。

2024-07-23 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

2023-04-14 - 活动

【视频】扬杰高效SiC，提供多样化产品和应用，助力新能源汽车

型号- YJD106502DQG3,YJD106502PQG3,YJD106504PG1,YJD106504FQG3,YJD106504DG1,YJD106504FG1,YJD106504PQG3

扬杰科技 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持现货查询批量订货

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。

产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

选型表 - 瞻芯电子立即选型

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

2024-06-18 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

国内新能源汽车未来发展，最核心的技术是什么？

近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

2024-11-18 - 行业资讯代理服务技术支持现货查询批量订货

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

NOVUSEM - 商品及供应商介绍代理服务技术支持现货查询批量订货

SiC MOSFETs在电动工具中的应用概述及典型拓扑

随着SiC MOSFET宽禁带半导体的出现，其优越的开关性能迅速引起电机驱动界的高度关注。SiC MOSFETs能够将开关损耗降低70%左右，或者在接近3倍的开关频率下达到同样的效率。随着更高的电机驱动频率的实现，电机可以设计成更多的极数，以减少电机的尺寸。这些现象都显示了SiC MOSFETs在高速、高效、高密度电机驱动方面的巨大潜力。