【产品】容量为1G bit的GD5F1GQ4xExxH系列SPI NAND Flash

时间： 2019-03-06 来源：兆易创新

兆易创新(Gigadevice)公司推出的 GD5F1GQ4xExxH系列SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了超高性价比的高容量非易失性存储器存储解决方案，基于业界标准的NAND闪存内核，是SPI-NOR和标准并行NAND闪存富有吸引力的替代品，具有以下先进的功能：

• 总引脚数为8，包括VCC和GND

• 容量为1G bit

• 卓越的写入性能和SPI-NOR的每比特成本

• 显着低于并行NAND闪存的成本

GD5F1GQ4xExxH 这款低引脚数的NAND闪存具备业界标准的串行外设接口，从一个容量到另一个容量始终保持相同的引脚输出。命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定功能并添加了新功能。 GigaDevice SPI NAND是一款易于集成的NAND闪存，具有特定的设计功能，可简化主机管理：

• 用户可选的内部ECC。 ECC代码在页面编程操作期间在内部生成。当页面被读取到高速缓存寄存器时，ECC代码被检测并在必要时纠正错误。即使启用了内部ECC，也可以使用64字节备用区。设备输出校正数据并返回ECC错误状态。

• 内部数据通过内部ECC移动或复制。该设备可以轻松刷新并管理垃圾收集任务，无需移入和移出数据。

• 带内部ECC的通电读取。上电后设备会自动读取第一个块的第一页进行缓存，然后主机可以直接从缓存中读取数据，方便启动。内部ECC保证正确数据的存取。

GD5F1GQ4xExxH 在基于页面的操作中编程和读取，并在基于数据块的操作中进行擦除。数据逐页传输到 NAND 闪存阵列或从NAND闪存阵列传输到数据寄存器和高速缓存寄存器。高速缓存寄存器最接近I / O控制电路，可充当I / O数据的数据缓冲区；数据寄存器最靠近存储器阵列，可充当NAND闪存阵列操作的数据缓冲器。高速缓存寄存器用作缓冲存储器，以启用页面和随机数据READ / WRITE和复制操作。这些器件还使用SPI状态寄存器来报告器件操作的状态。

GD5F1GQ4xExxH SPI NAND Flash特性与优势

• 1Gb SLC NAND闪存

• 页面大小

- 2048字节+64字节

• 标准，双路，四路SPI

- 标准SPI：SCLK，CS＃，SI，SO，WP＃，HOLD＃

- 双SPI：SCLK，CS＃，SIO0，SIO1，WP＃，HOLD＃

- 四路SPI：SCLK，CS＃，SIO0，SIO1，SIO2，SIO3

◆可靠性

- 耐久性：100K编程/擦除周期

- 数据保留期：10年

• 高速时钟频率

- 120MHz，30PF负载快速读取

- 四路I / O数据传输速率高达480Mbits /s

• 软件/硬件写保护

- 通过软件写保护全部/部分内存

- 使用WP＃Pin进行寄存器保护

- 顶部或底部，块选择组合

• 高级安全功能

- 8K字节OTP区域

• 单电源电压。

- 1.8V的全电压范围：1.7V~2.0V

- 3.3V的全电压范围：2.7V~3.6V

• 编程/擦除/读取速度

- 页面编程时间：典型值400us

- 块擦除时间：典型值为3ms

- 页面读取时间：最大80us（带有ECC）

• 低功耗

- 最大40mA有功电流

- 90uA（1）最大待机电流

• 增强的访问性能

- 2k字节高速缓存，用于快速随机读取

- 缓存读取和缓存程序

• NAND的高级功能

- 内部ECC选项，每528字节

- 内部数据通过ECC逐页移动

• 在装载时保证第一个块（Block0）是有效块

GD5F1GQ4xExxH SPI NAND Flash应用领域

• 嵌入式系统

• 电子产品NAND闪存

产品列表

芯片引脚示意图

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