【产品】150V N沟道MOSFET TMD02N15AT，TMU02N15AT，采用沟槽功率技术

时间： 2020-10-04 来源：无锡紫光微

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无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET TMD02N15AT，TMU02N15AT，采用沟槽功率技术，具有低R_DS(ON)，低栅极电荷等特点，漏源电压为150 V，结温和存储温度范围为-55℃至 175℃，可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流，电信和工业中的隔离式DC / DC转换器等领域。

图1 产品实物图、封装形式和内部电路

特点

● 沟槽功率技术
● 低R_DS(ON)
● 低栅极电荷
● 针对快速开关应用进行了优化

应用

● DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流
● 电信和工业中的隔离式DC / DC转换器

极限参数值

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TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

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