【应用】芯众享碳化硅MOS管应用于感应加热领域,具有运行频率高、导通损耗低等优点
感应加热是通过电磁感应加热导电物体(通常是金属)的过程,通过物体内部的涡流产生热量。感应加热器由电磁铁和电子振荡器组成,电子振荡器产生的高频交流电流通过电磁铁绕组。快速的交变磁场穿过金属体,在导体内部产生电流,称为涡流。涡流流过导体的电阻,做功产生热量。在铁磁性材料,如铁,热也可能由磁滞损失而产生。使用的电流频率取决于物体大小,材料类型,耦合(工作线圈和被加热物体之间)和穿透深度。
感应加热的功率可以从几百瓦到几十千瓦,取决于工件的尺寸。中频加热和高频加热的谐振频率分别在5-30kHz和100-450kHz之间。中频加热通常用于需要较深穿透深度的大型工件(如直径>50mm)。高频加热适用于小尺寸或薄件。
例如,家用的电磁炉只有几千瓦,工作在中频。
目前感应炉的解决方案大多采用IGBT。由于频率的限制和高导通损耗,炉具必须使用大型盘管和带风冷的散热片,这使得密封电源板防止油脂进入线路板内部和风扇内部变得很困难。高压SiC MOSFET可以运行在更高的开关频率,并减少线圈的铜使用量,为新一代产品的设计提供一个简洁的解决方案。更重要的是,由于功耗的降低,风扇可以省去,整个电源板可以装在一个密封铝盒里,这不仅降低成本,同时也提高了电器的可靠性。
对于数十千瓦的感应加热,PFC电路是必须的。下面是一个典型的感应加热电源电路。
可以工作在高温和大电流下的碳化硅功率器件,可使系统无需特殊制冷冷却,这将使感应加热系统得到革命性的改进。SiC高功率电子开关也将使电力管理和控制的效率大大提高。碳化硅功率器件已经证明能够在极端高温、高频率和高功率下工作。碳化硅器件的应用将使高频大功率感应加热领域得到长足进步。
芯众享推出的SiC MOSFET系列1200V 160mΩ/40mΩ/ 80mΩ/16mΩ具有运行频率高、导通损耗低等优点,非常适合应用在感应加热设备中,提高开关频率、减小滤波器件电抗器、电容的体积、增大整机效率。有效帮助感应加热设备厂商推出新一代高频、高效、小体积的产品。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由银河系转载自芯众享,原文标题为:芯众享碳化硅MOS管应用于感应加热领域,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【应用】芯众享量产1200V多种封装形式的SiC SBD和SiC MOSFET系列产品,助力电动汽车快速充电
芯众享面对充电模块等客户,量产了1200V多种封装形式的SiC SBD系列产品和SiC MOSFET系列产品,对应表1和表2。可以满足效率性能、运维成本、功率密度、稳定性等多方面的需求和现有的各种拓扑电路应用,针对其他应用也有650V 6A/10A/15A/20A TO252/TO263/TO220AC/TO247封装等SiC二极管对应产品。
应用方案 发布时间 : 2023-07-20
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品,电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
原厂动态 发布时间 : 2023-08-07
ROHM(罗姆)"全SiC"功率模块选型指南(中文)
描述- SiC功率模块是节能环保的器件,与传统产品相比有多项改进,有效地利用了电源和资源,并且在维持或提高性能的同时降低了功耗。例如,集成SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模块中的开关损耗显著低于额定值等效的硅基IGBT模块。此外,与传统模块不同,这些新型SiC产品支持100kHz以上的高频操作,提高了感应加热用的高频电源和混合动力存储系统等工业设备的效率。
型号- BSM300C12P3E201,BSM300C12P3E301,BSM180C12P2E202,BSM400D12P3G002,BSM300D12P2E001,BSM600D12P3G001,BSM080D12P2C008,BSM180D12P3C007,BSM180C12P3C202,BSM400C12P3G202,BSM300D12P4G101,BSM120C12P2C201,BSM120D12P2C005,BSM450D12P4G102,BSM180D12P2E002,BSM600C12P3G201,BSM180D12P2C101,BSM400D12P2G003,BSM600D12P4G103,BSM300D12P3E005,BSM250D17P2E004
All Products Power Supplies & Power Semiconductor 产品介绍
型号- SPU-2020,SRG 系列,HKD-G,PV-250K-42/44T-03 MVJ,UG3-0450□F,SPU-2100,GED040120,UG1-□450□,GED028120,UG1-□050□,UG3-0350□F,UG3-0800KF,TE028121H,MRM-PM-15005- ▼,TE028063H,TE028064H,UG 系列,UG1 SERIES,SPU,TE040066H,SPU-2060,HKD,UG1-□025□,SPU-2030,HKE,PV-500K-42/44T-13 MVJ,MRM-□-W,MRT-8003HPR,BACKUPS1000,UF3 SERIES,MRT-HPR,UG SERIES,UF 系列,UG1-□600□,TE040063H,MRM-□,SPU SERIES,PV-100K-42/44T-03 MVJ,UF3,HKE-G,UG1系列,SPU-2045,UG1-□250□,UG3-0035□F,BACKUPS1000系列,SRG,GED040060,GED028060,MRT,MRS,UG3-0050□F,MRT-800.4HP,TE028066H,UG3-0075□F,UG3-0100□F,TE040121H,SPU-2080,UG1,UG1-□035□,UG1-□100□,UG1-□350□,UG3-0600KF,UG3-01200KF,UG1-□075□,UG3-0150□F,MRT-8001HPR,MRS-PR,UG3-0025□F,UF SERIES,MRT-8005HPR,TE028067H,UG3-0250□F,PV-500K-42/44T-03 MVJ,UG1-□800□,UG1-01200□
SiC SBD/MOS供应商芯众享授权世强硬创代理,加速国产化替代
SiC MOSFET实现了更高的开关频率、更低的开关损耗、低导通电阻和小型芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷,并实现更高阻断电压和雪崩能力。
签约新闻 发布时间 : 2023-08-14
芯众享MOSFET选型表
芯众享SIC MOSFET选型表提供以下技术参数的碳化硅MOSFET选型,Vrrm:650V-1700V,If:16A-80A,Vf:32V-115V,Ifsm:2.5A-3A,Ir:71uA-207uA,QC:145nC-556nC,电阻16mΩ-1000mΩ
产品型号
|
品类
|
封装
|
Vrrm (V)
|
If (A)
|
Vf (V)
|
Ifsm (A)
|
Ir (uA)
|
QC (nC)
|
CEB080M120R4
|
SiC MOSFET
|
TO-247-4
|
1200V
|
80A
|
32V
|
3A
|
72uA
|
145nC
|
选型表 - 芯众享 立即选型
芯众享成功获得高新技术企业认证!将不断加大在研发和技术创新方面投入,为市场提供高品质半导体功率器件
芯众享成功获得高新技术企业认证!在未来,芯众享将继续秉持着“技术驱动,创新引领”的发展理念,不断加大在研发和技术创新方面的投入,为客户提供更加卓越的产品和服务。芯众享将以更加饱满的热情,更加坚定的信念,不断挑战自我,迎接更多科技创新的机遇和挑战。
原厂动态 发布时间 : 2023-11-30
芯众享(CORENICS)SiC/GaN 功率器件选型指南
描述- 公司自主研发的SiC SBD、 SiC MOSFET、GaN HEMT,性能达到国际先进水平,产品广泛应用于新能源、储能、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。公司根据日益快速变化的市场需求,持续致力于新品研发,为客户提供高性价比的产品。
型号- CEB002D330R2G,CEB040M120R3G,CEB040D065R3G,CEB080M120R3V,CEB010D120V2G,CEB005D330R2G,CEB025M120R3G,CEB030M065R3G,CEB020D065R3G,CEB010D065O2G,CEB005D170R2G,CEB020D170R3G,CEB015D120R2G,CEB006D065V2G,CEB120M065R3G,CEB010D065S2G,CEB020D120S2G,CEB080M120R4G,CEB010D120R2G,CEB480N120MTV,CEB020D065R3V,CEB030D120R3V,CEB080M120R4V,CEB360N120MTV,CEB015D065R2G,CEB015D065V2G,CEB020D065R2G,CEC140G065DB8G,CEC150G065PDG,CEB030D120R3G,CEB060M065R3G,CEB600N120MTV,CEB020D065V2G,CEB1000M170R4G,CEB300N120HPV,CEB040D065R2G,CEB006D065BDG,CEB010D120R3G,CEB200N120EAG,CEB016M120R4G,CEB015D065R3G,CEB020D120V2G,CEB010D065V2G,CEB030D065R3G,CEB040D120R3G,CEB010D170R2G,CEB045M170R4G,CEB020D120R2G,CEB160M120R3G,CEB010D065R2G,CEB010D120S2G,CEB480N120HPV,CEC140G065BDG,CEB006D065S2G,CEB030D065R3V,CEB016M120R3G,CEB300N120EAG,CEB006D065O2G,CEB040D120R3V,CEB040M120R4V,CEB400N120EAG,CEB020D120R3V,CEB006D065DA8G,CEB015D065S2G,CEB025D170R2G,CEB030D065R2G,CEB040M120R4G,CEB020D065S2G,CEC140G065DA8G,CEB010D065BDG,CEB080M120R3G,CEB080M170R4G,CEB160M120R4G,CEB020D120R3G,CEB006D06502G,CEB015D120R3G,CEB040M120R3V,CEB010D065DB8G,CEB600N120HPV,CEB045M170R3G
【经验】OBC典型拓扑中SiC MOS不同封装的优缺点
在OBC拓扑中,传统的mosfet不能让开关损耗和效率得到最优化,而SiC mosfet可以通过高频化让OBC拓扑的开关损耗减小,效率得以优化,体积和综合成本得以减小。本文通过侧重对器件封装分析,讨论一下封装对OBC电路的性能影响。
设计经验 发布时间 : 2023-09-27
【技术】碳化硅MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点
本文中芯众享将为大家分享碳化硅MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点。
技术探讨 发布时间 : 2023-08-07
【产品】1200V/204A的半桥结构SiC MOSFET模块BSM180D12P2C101
罗姆(ROHM)的半桥结构SiC MOSFET模块BSM180D12P2C101,漏源级电压1200V,漏极电流204A,总功耗1360W,结温最高达175℃,储存温度范围-40~125℃,可用于电机驱动、逆变器、光伏、风力发电和感应加热设备等应用中。
新产品 发布时间 : 2020-08-08
SiC新锐——致力于第三代半导体功率器件研发与销售的高新技术企业芯众享
芯众享(成都)微电子有限公司是致力于第三代半导体功率器件研发与销售的高新技术企业,以“同芯同行,共享共赢”为价值观,芯众享汇聚一支以留美博士为核心的研发团队,相继推出了SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、GaN 合封等器件产品。
原厂动态 发布时间 : 2023-08-02
芯众享携最新SIC SBD、SIC MOSFET产品亮相深圳半导体展,提供高性价比的解决方案
芯众享顺应2023年第五届深圳国际半导体技术暨应用展展会主题“芯机会 • 智未来”,携旗下最新技术和最新sic产品掀起一场“芯”潮,凭借其技术实力和产品优势在众多企业中脱颖而出!
原厂动态 发布时间 : 2023-07-09
【技术】显著提升高频感应加热效率的SiC MOSFET
随着电力电子器件的发展,MOSFET、IGBT、SiC等新型开关器件相继出现,为高频感应加热电源的小型化、高效率提供了元件基础。SiC MOSFET以其工作频率高、低导通、开关损耗低等优点,是高频感应加热电源最有前途的半导体器件。
新产品 发布时间 : 2016-06-19
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论