【应用】ROHM SiC MOSFET SCT3060AR助力3.6kW图腾柱PFC效率提高至98%
在现代电源领域工程师对于电源效率的追求越来越苛刻,为了满足能效等级认证,需要在输入电压为230V、负载为标称负载的50%时至少达到96%的效率。此外,还必须满足负载为10%、20%和100%时
的效率目标以及输入电压为115V时的效率目标。
在AC-DC的电源系统中,通常需要分为两级控制,AC-DC(with PFC)和DC-DC(通常起到隔离作用)。
图1 AC-DC两级结构
常见的PFC拓扑:BOOST PFC、双路交错无桥PFC以及图腾柱PFC。从效率对比上来看,图腾柱的效率可以做到最高。
图2 拓扑结构
本文利用ROHM的SiC MOSFET在3.6kW图腾柱PFC上应用,验证使用SiC MOSFET 的图腾柱PFC可以成为3.6kW AC-DC 部分的高性能解决方案。
设计要求:
输入电压85~365V,50Hz;输出电压400V,最大输出功率Vin=230V,3600W;开关频率为100kHz。
在测试系统中,高频开关(图3中的Q3/Q4)采用650V、60mΩ沟槽结构SiC MOSFET(SCT3060AR),其封装为TO-247-4L;运行在电网频率上的支路(图3中Q1/Q2)则采用 600V、60mΩ的Si SJ MOSFET(R6047ENZ4)。 对于所选开关频率和最大输出功率,60mΩ SiC MOSFET可以在开关损耗和导通损耗之间实现良好的平衡。如果想进一步提高效率,我们可以用具有更低RDS(on) 的MOSFET来替代工作在电网频率下的SJMOSFET,因为这些组件的开关损耗无关紧要。
图3 图腾柱PFC设计简图
输出功率为3.6kW的条件下进行测试。在整个输出功率范围内,低压输入(Vin = 110V)和高压输入(Vin = 230V)的实测效率如图3所示。高压输入时,系统的峰值效率为 98.5%;在 500W和满载之间,整体效率保持在98%以上。
图4 测试条件下图腾柱PFC实际测试效率
从上述验证可以看出,图腾柱PFC SiC MOS方案可以克服输入整流二极管的导通损耗来达到高的系统效率。除本文使用的产品外,ROHM公司可以提供多种电流规格、TO247-4L封装的SiC MOS,相对于传统的TO247-3封装,开关损耗又可以降低约35%。
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SiC MOSFET 5kW 高效率无风扇逆变电路
描述- 采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路(1)、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中,平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的匝数减少、使铜损大幅度减少实现了高效率。在这份资料中,介绍这个全新的逆变器设计的例子。
型号- PS2501L-1,MCR18ERTJ200,NJM78L05UA,MCR03EZPJ332,MCR03EZPJ334,RK73B1JTTD104J,PC092-01-00,B4B-XH-A,TR10P,DE1E3KX222MA4BN01,RK73B1JTTD472J,GRM188B31H104KA92,RB751S-40,MB3P-90,RK73B2BTTD105J,RK73B2BTTD4R7J,PH-1X10RG2,RK73B1JTTD103J,B5B-PH-K-S,PH-2X09SG,SSM3K318T,GRM1851X1H472JA44,KRB-408,GRM188B11H103KA01,HOT-2608B,ELXZ350ELL101MF15D,TLP700A,SCT3030AL,GRM188R11H104KA93,MCR10ERTJ4R7,TC4069UBF,RK73B1JTTD102J,PC045-00-00,S4B-EH,MOSX1C1R0J,NJM431U,GRM185B31E105MA12,DE1E3KX102MA4BN01,2SCR542P,GRM188R71E104KA01,PH-2X04SG,FHU-2×4SG,MCR10EZPJ105,PH-2X08SG,RK73B1JTTD153J,RK73B1JTTD101J,MCR03EZPJ101,ADR-48-50-0R5YA,MCR03EZPJ102,MCR03EZPJ103,24LC64SN,EG01C,MCR03ERTJ302,CQ-3303,CT-6E-P5KΩ,TR008A,1SS355,NE555D,ECQE6103KF,MCR18ERTJ4R7,ES1A,GRM188B11H102KA01,PC089-01-00-50P,NJM2732M,BFC233920105,MB4P-90,MCR03ERTJ331,B3P-VH,TBD,STR-A6079M,ACPL-C87AT,SCS212AM,MCR18ERTJ1R0,TRANS-LINK,GRM1851X1H222JA44,2SAR542P,MOSX1C334J,MCR03ERTJ202,FHU-2X9SG,VDCT,UDZS5.1B,ECQE6104KF,ELXZ100ELL681MF15D,S3B-EH,RK73B1JTTD271J,2SC3325,PH-1X04SG,MCR03EZPJ152,GRM188R71E105KA12,ELXS451VSN561MA50S,GRM21BR71E105KA99,MCR03ERTJ470,RK73B1JTTD470J,SCT3017AL,RK73B2BTTD563J,RK73B1JTTD000J,TA48M05F,MCR03ERTJ102,MCR03ERTJ103,SBR1U150SA-13,FHU-2X8SG,450MPH105J,UCS2W220MHD
SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-25
ROHM 4th Gen SiC MOSFET Simulation Models for PSIM™ Now Available
ROHM has begun offering 4th Gen SiC MOSFET simulation models compatible with PSIM™, a circuit simulator designed for power electronics and motor drive developed by Altair®. Designers can now easily download model files to perform system-level evaluations, allowing for efficient design and evaluation across a wire range of industrial sectors, further promoting the use of power devices.
产品 发布时间 : 2024-08-02
【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应
SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样,由于存在米勒电容,都会有米勒效应的存在。由于SiC材料所带来的优势,SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下,这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计,使之能够较为有效地避免误触发。本文将主要介绍增加栅极电容的方式。
设计经验 发布时间 : 2020-02-14
【经验】采用4引脚封装的SiC MOSFET : SCT3xxx xR系列之采用4引脚封装的原因
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列产品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装,改善了开关特性,使开关损耗可以降低35%左右。此次,针对SiC MOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等问题,产出了本系列文章,本文是第一篇:采用4引脚封装的原因。
设计经验 发布时间 : 2020-04-28
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