【产品】电流模式PWM控制芯片RM6648S,内置650V高压功率管,符合6级能效标准
![电流模式PWM控制芯片,RM6648S,亚成微电子](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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RM6648S是亚成微电子推出的一颗电流模式PWM控制芯片,使用SOP-8无铅封装,内置高压功率MOSFET,用于功率在20W以内的方案。内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(OVP),VDD过压箝位,欠压保护(UVLO)等,采用抖频技术更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。系统的跳频频率设置在音频(20kHz)上,工作时可以避免系统产生噪音。
功能特性
★符合6级能效标准,在通用交流输入时待机功率<75mW
★内置650V高压功率管
★4ms软启动用来减少MOSFET上Vds的应力
★抖频功能,改善EMI性能
★跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗
★无噪声工作
★固定65kHz开关频率
★内置同步斜坡补偿
★低启动电流,低工作电流
★内置前沿消隐(LEB)功能
★保护功能:欠压保护(UVLO) 过热保护(OTP) 逐周期限流保护(OCP) 过载保护(OLP) 过压保护(OVP)
应用领域
★电源适配器
★开放式电源
结构框图
极限参数
电气特性(VDD=18V,TA=25℃,除非另作说明)
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本文由提灯破云转载自亚成微电子,原文标题为:RM6648S 内置高压MOSFET、满足6级能效的PWM+PFM控制器说明书,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL
亚成微电子开关电源芯片选型表
亚成微开关电源芯片,最大功率8W~120W,工作频率65KHz~130KHz
产品型号
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品类
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应用领域
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最大功率(W)
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工作频率(kHz)
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功率管
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封装形式
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分类
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RM6820NQL
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开关电源芯片
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快速充电器、电源适配器、模块电源
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120W
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85kHz
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内置GaN
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PLP8*8
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副边反馈(SSR)+ZVS
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选型表 - 亚成微电子 立即选型
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