【产品】长晶科技推出采用SOT-23塑料封装的N沟道MOSFET CJ3402，栅极电压±12V
长晶科技推出一款采用SOT-23塑料封装的N沟道MOSFET——CJ3402，该器件采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，可在低至2.5V的栅极电压下工作，适用于负载开关、PWM应用。
特点：
无铅产品
表面贴装封装
应用：
负载开关
PWM应用
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）：
电气参数（Ta=25℃，除非特别说明）
注：
1. 重复额定值：脉冲宽度受结温限制
2. 表面贴装在FR4板，t≤10s
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤80μs，占空比≤0.5%
4. 由设计保证，不受生产限制
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长晶科技Trench MOS选型表
长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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选型表 - 长晶科技 立即选型
MX74502D23 100V低损耗带反极性保护过压保护的负载开关
描述- MX74502D23是一款100V低损耗带反极性保护过压保护的负载开关，适用于工业自动化、电机驱动、工业运输等领域。该器件具有宽电源输入范围、可编程过压保护和欠压保护功能，可驱动外部N沟道MOSFET，实现高效、快速的逆极性保护电路。
型号- MX74502D23
长晶科技MOS选型表
长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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-
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0.2
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0.8~3
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-
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5000
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-
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6000
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TO-92
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选型表 - 长晶科技 立即选型
CJ3402 SOT-23塑料封装MOSFET
描述- 该资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的CJ3402型号N沟道MOSFET。该器件采用先进的槽栅技术，提供优异的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷，并可在最低2.5V栅极电压下工作。适用于负载开关或PWM应用。
型号- CJ3402
SLD90N03T 30V N沟道MOSFET
描述- 该资料介绍了SLD90N03T型30V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻、快速开关特性，适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
型号- SLD90N03T
S20N18K 20V N沟道MOSFET
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型号- S20N18K
SLN30N03T 30V N沟道MOSFET
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型号- SLN30N03T
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型号- PW4828Q
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WST2088A N沟道MOSFET
描述- WST2088A是一款高性能的沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，提供优异的RDSON和栅极电荷，适用于小型电源开关和负载开关应用。该产品符合RoHS和绿色产品要求，并经过全面功能可靠性认证。
型号- WST2088A
WSF18N15 N沟道MOSFET
描述- WSF18N15是一款高性能的沟槽N-沟道MOSFET，具有极高的单元密度，提供优异的RDSON和栅极电荷，适用于大多数同步降压转换器应用。该产品符合RoHS和绿色标准，具有高频率开关、负载开关和运动开关等应用特性。
型号- WSF18N15
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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