【产品】典型电容仅0.6pF、工作电压5V的TVS二极管AR0501S2，可保护对电压敏感的高速数据线
应能微推出的AR0501S2是一款超低电容TVS二极管，工作电压5V，采用领先的单片硅技术实现快速的响应时间和较低的ESD钳位电压，峰值脉冲电流为1A（8×20µs脉冲）时，其钳位电压不超过10V；峰值脉冲电流为5A（8×20µs脉冲）时，其钳位电压不超过15V，是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。
AR0501S2具有极低电容，典型值为0.6pF，并且符合IEC 61000-4-2（ESD）标准中±25kV空气放电和±20kV接触放电的要求。该器件采用3引脚的SOT-23无铅封装，尺寸小、电容小、且具有较高的ESD防护能力，能够为高速数据线、信号线、通信设备和VCC总线提供瞬态保护。
内部电路和引脚图
特点：
· 超低电容：典型值0.6pF
· 超低漏电流：0.5µA（VRWM= 5V）
· 低工作电压：5V
· 较低的钳位电压
· 符合JEDEC标准的SOT-23封装
· 符合以下标准：
- IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试
空气放电：±25kV
接触放电：±20kV
- IEC61000-4-5（雷击浪涌）：5A（8/20μs）
· 符合RoHS标准
应用：
· 手机及配件
· 笔记本电脑和掌上电脑
· 便携式仪器
· 机顶盒
· 工业控制
· 服务器和台式电脑
· 高速数据线
· 局域网/广域网设备
机械参数：
· 封装：SOT-23
· 引脚镀层处理：雾锡
· 外壳材料：绿色环保型塑封
· 湿敏等级：等级3（依据J-STD-020标准）
极限值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由宝丁翻译自应能微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】4线超低电容TVS二极管阵列SEH0514S3，具有小尺寸封装、低电容特性和高ESD浪涌保护能力的特点
萨瑞微电子推出一款4线超低电容TVS二极管阵列SEH0514S3，利用先进的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性，使该器件成为保护电压敏感高速数据传输线的理想解决方案。器件具有典型值低至0.3pF的超低电容特性。
【产品】结电容低至0.3pF的单线双向超低电容TVS二极管SEU0521P0，工作电压5V
萨瑞微电子5V单线双向超低电容TVS二极管SEU0521P0，利用其Salltech穿通工艺TVS技术设计，保护电压敏感组件免受ESD干扰，其出色的钳位电压，低漏电流和快速响应特性使该器件成为ESD防护中的超一流解决方案。
【产品】单线单向超低电容TVS二极管SEH0511D9，采用先进的单片硅技术，电容低至0.6pF
萨瑞微电子推出一款单线单向超低电容TVS二极管SEH0511D9，采用先进的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性，使该器件成为保护电压敏感高速数据传输线的理想解决方案。
应能微TVS&二极管选型表
应能微提供以下技术参数的TVS选型，VRWM：1V~80V，Cj Typ：0.15pF~3700pF，IR Max：0.02μA-600μA，PPP：10W-8000W；二极管选型，VRWM(V)：45V，Cj Typ(pF)：90pF、25pF。
|
产品型号
|
品类
|
UNI/BI
|
Line Config
|
VRWM(V)
|
VBR Min(V)
|
Cj Typ(pF)
|
IR Max(μA)
|
PPP(W)
|
Package
|
|
ASK45V1RD3
|
Schottky Barrier Diode
|
Bi
|
1-Line
|
45
|
40
|
90
|
100
|
0.32
|
SOD-323
|
选型表 - 应能微 立即选型
BLC0524P超低电容TVS二极管阵列
描述- 该资料介绍了一种超低电容TVS二极管阵列BLC0524P，适用于数据线和电源线的瞬态保护，具有低电容、高ESD保护能力等特点，适用于多种高速接口应用。
型号- BLC0524P
GSEN5B003超低电容TVS二极管
描述- 本资料介绍了GSEN5B003超低电容TVS二极管的产品特性、电气特性、典型曲线和应用领域。该器件具有35瓦峰值脉冲功率（TP=8/20μs）、DFN0603封装、Snap-Back技术、低钳位电压、低漏电流等特点，适用于高速数据线上的ESD保护。
型号- GSEN5B003
AR0504S3 4线超低电容TVS二极管阵列
描述- AR0504S3是一款超低电容TVS二极管阵列，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有极低的典型电容值（0.3pF），符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准，并采用无铅SC-70封装。
型号- AR0504S3
GSEN3B0025超低电容TVS二极管
描述- 本资料介绍了GSEN3B0025型超低电容TVS二极管的产品特性、电气特性、典型曲线和应用领域。该器件具有双向配置、Snap-Back技术、低钳位电压、低漏电流和极低的电容（典型值为0.25pF）等特点，适用于高速数据线上的ESD保护。
型号- GSEN3B0025
AR0507PA 7线超低电容TVS二极管阵列
描述- AR0507PA是一款超低电容TVS二极管阵列，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压，适用于保护高速数据线。该器件具有极低的典型电容值（0.6pF），符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准，具备±25kV空气放电和±20kV接触放电能力。它采用无铅DFN4120-10封装，适合USB 3.0/MicroUSB 3.0、HDMI 1.4/2.0等高速端口的数据线保护。
型号- AR0507PA
GSEDP3B003超低电容TVS二极管
描述- 本资料介绍了GSEDP3B003超低电容TVS二极管的产品特性、电气特性、典型曲线和应用领域。该器件具有双向配置、Snap-Back技术、低钳位电压、低漏电流和极低的电容（典型值为0.25pF）等特点，适用于高速数据线ESD保护。
型号- GSEDP3B003
AR0544P5LV 4线超低电容TVS二极管阵列
描述- AR0544P5LV是一款超低电容TVS二极管阵列，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，具有±20kV空气和±20kV接触放电能力。它封装在10引脚2.5x1.0x0.5mm无铅DFN包装中，适用于保护高速数据线。
型号- AR0544P5LV
AR0501S2单线超低电容TVS
描述- AR0501S2是一款超低电容TVS二极管，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有非常低的电容值（典型值为0.6pF），符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准，并装配在3引脚无铅SOT-23封装中。其小尺寸、低电容和高水平的ESD保护使其成为高速数据线、信号线和通信设备的理想瞬态保护解决方案。
型号- AR0501S2
GSEDP5B003超低电容TVS二极管
描述- 本资料介绍了GSEDP5B003超低电容TVS二极管的产品特性、电气特性、典型曲线和应用领域。该器件具有双向配置、Snap-Back技术、低钳位电压、低漏电流和极低的电容（典型值为0.25pF）等特点，适用于高速数据线ESD保护。
型号- GSEDP5B003
AR0506PAL 6线超低电容TVS二极管阵列
描述- AR0506PAL是一款超低电容TVS二极管阵列，采用先进的单晶硅技术，提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件适用于保护高速数据线上的敏感电压，具有极低的典型电容值（0.3pF）和符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准的±25kV空气放电和±20kV接触放电。
型号- AR0506PAL
SESDM5V0T143 2线超低电容TVS二极管阵列
描述- 该资料介绍了SESDM5V0T143型2线超低电容TVS二极管阵列。这种器件具有快速响应时间和低ESD钳位电压，适用于保护高速数据线路。它采用SOT-143无铅封装，具备极低的典型电容值（0.4pF），并符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准。
型号- SESDM5V0T143
电子商城
服务
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
提交需求>
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论