【产品】典型电容仅0.6pF、工作电压5V的TVS二极管AR0501S2,可保护对电压敏感的高速数据线
应能微推出的AR0501S2是一款超低电容TVS二极管,工作电压5V,采用领先的单片硅技术实现快速的响应时间和较低的ESD钳位电压,峰值脉冲电流为1A(8×20µs脉冲)时,其钳位电压不超过10V;峰值脉冲电流为5A(8×20µs脉冲)时,其钳位电压不超过15V,是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。
AR0501S2具有极低电容,典型值为0.6pF,并且符合IEC 61000-4-2(ESD)标准中±25kV空气放电和±20kV接触放电的要求。该器件采用3引脚的SOT-23无铅封装,尺寸小、电容小、且具有较高的ESD防护能力,能够为高速数据线、信号线、通信设备和VCC总线提供瞬态保护。
内部电路和引脚图
特点:
· 超低电容:典型值0.6pF
· 超低漏电流:0.5µA(VRWM= 5V)
· 低工作电压:5V
· 较低的钳位电压
· 符合JEDEC标准的SOT-23封装
· 符合以下标准:
- IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试
空气放电:±25kV
接触放电:±20kV
- IEC61000-4-5(雷击浪涌):5A(8/20μs)
· 符合RoHS标准
应用:
· 手机及配件
· 笔记本电脑和掌上电脑
· 便携式仪器
· 机顶盒
· 工业控制
· 服务器和台式电脑
· 高速数据线
· 局域网/广域网设备
机械参数:
· 封装:SOT-23
· 引脚镀层处理:雾锡
· 外壳材料:绿色环保型塑封
· 湿敏等级:等级3(依据J-STD-020标准)
极限值(TA=25℃,除非另有说明)
电气特性(TA=25℃,除非另有说明)
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由宝丁翻译自应能微,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】4线超低电容TVS二极管阵列SEH0514S3,具有小尺寸封装、低电容特性和高ESD浪涌保护能力的特点
萨瑞微电子推出一款4线超低电容TVS二极管阵列SEH0514S3,利用先进的单片硅技术,可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性,使该器件成为保护电压敏感高速数据传输线的理想解决方案。器件具有典型值低至0.3pF的超低电容特性。
【产品】结电容低至0.3pF的单线双向超低电容TVS二极管SEU0521P0,工作电压5V
萨瑞微电子5V单线双向超低电容TVS二极管SEU0521P0,利用其Salltech穿通工艺TVS技术设计,保护电压敏感组件免受ESD干扰,其出色的钳位电压,低漏电流和快速响应特性使该器件成为ESD防护中的超一流解决方案。
【产品】单线单向超低电容TVS二极管SEH0511D9,采用先进的单片硅技术,电容低至0.6pF
萨瑞微电子推出一款单线单向超低电容TVS二极管SEH0511D9,采用先进的单片硅技术,可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性,使该器件成为保护电压敏感高速数据传输线的理想解决方案。
应能微TVS&二极管选型表
应能微提供以下技术参数的TVS选型,VRWM:1V~80V,Cj Typ:0.15pF~3700pF,IR Max:0.02μA-600μA,PPP:10W-8000W;二极管选型,VRWM(V):45V,Cj Typ(pF):90pF、25pF。
产品型号
|
品类
|
UNI/BI
|
Line Config
|
VRWM(V)
|
VBR Min(V)
|
Cj Typ(pF)
|
IR Max(μA)
|
PPP(W)
|
Package
|
ASK45V1RD3
|
Schottky Barrier Diode
|
Bi
|
1-Line
|
45
|
40
|
90
|
100
|
0.32
|
SOD-323
|
选型表 - 应能微 立即选型
BLC0524P超低电容TVS二极管阵列
描述- 该资料介绍了一种超低电容TVS二极管阵列BLC0524P,适用于数据线和电源线的瞬态保护,具有低电容、高ESD保护能力等特点,适用于多种高速接口应用。
型号- BLC0524P
GSEN5B003超低电容TVS二极管
描述- 本资料介绍了GSEN5B003超低电容TVS二极管的产品特性、电气特性、典型曲线和应用领域。该器件具有35瓦峰值脉冲功率(TP=8/20μs)、DFN0603封装、Snap-Back技术、低钳位电压、低漏电流等特点,适用于高速数据线上的ESD保护。
型号- GSEN5B003
AR0504S3 4线超低电容TVS二极管阵列
描述- AR0504S3是一款超低电容TVS二极管阵列,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有极低的典型电容值(0.3pF),符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准,并采用无铅SC-70封装。
型号- AR0504S3
GSEN3B0025超低电容TVS二极管
描述- 本资料介绍了GSEN3B0025型超低电容TVS二极管的产品特性、电气特性、典型曲线和应用领域。该器件具有双向配置、Snap-Back技术、低钳位电压、低漏电流和极低的电容(典型值为0.25pF)等特点,适用于高速数据线上的ESD保护。
型号- GSEN3B0025
AR0507PA 7线超低电容TVS二极管阵列
描述- AR0507PA是一款超低电容TVS二极管阵列,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压,适用于保护高速数据线。该器件具有极低的典型电容值(0.6pF),符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准,具备±25kV空气放电和±20kV接触放电能力。它采用无铅DFN4120-10封装,适合USB 3.0/MicroUSB 3.0、HDMI 1.4/2.0等高速端口的数据线保护。
型号- AR0507PA
GSEDP3B003超低电容TVS二极管
描述- 本资料介绍了GSEDP3B003超低电容TVS二极管的产品特性、电气特性、典型曲线和应用领域。该器件具有双向配置、Snap-Back技术、低钳位电压、低漏电流和极低的电容(典型值为0.25pF)等特点,适用于高速数据线ESD保护。
型号- GSEDP3B003
AR0544P5LV 4线超低电容TVS二极管阵列
描述- AR0544P5LV是一款超低电容TVS二极管阵列,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,具有±20kV空气和±20kV接触放电能力。它封装在10引脚2.5x1.0x0.5mm无铅DFN包装中,适用于保护高速数据线。
型号- AR0544P5LV
AR0501S2单线超低电容TVS
描述- AR0501S2是一款超低电容TVS二极管,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件具有非常低的电容值(典型值为0.6pF),符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准,并装配在3引脚无铅SOT-23封装中。其小尺寸、低电容和高水平的ESD保护使其成为高速数据线、信号线和通信设备的理想瞬态保护解决方案。
型号- AR0501S2
GSEDP5B003超低电容TVS二极管
描述- 本资料介绍了GSEDP5B003超低电容TVS二极管的产品特性、电气特性、典型曲线和应用领域。该器件具有双向配置、Snap-Back技术、低钳位电压、低漏电流和极低的电容(典型值为0.25pF)等特点,适用于高速数据线ESD保护。
型号- GSEDP5B003
AR0506PAL 6线超低电容TVS二极管阵列
描述- AR0506PAL是一款超低电容TVS二极管阵列,采用先进的单晶硅技术,提供快速响应时间和低ESD钳位电压。该器件适用于保护高速数据线上的敏感电压,具有极低的典型电容值(0.3pF)和符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准的±25kV空气放电和±20kV接触放电。
型号- AR0506PAL
SESDM5V0T143 2线超低电容TVS二极管阵列
描述- 该资料介绍了SESDM5V0T143型2线超低电容TVS二极管阵列。这种器件具有快速响应时间和低ESD钳位电压,适用于保护高速数据线路。它采用SOT-143无铅封装,具备极低的典型电容值(0.4pF),并符合IEC 61000-4-2 (ESD)标准。
型号- SESDM5V0T143
电子商城
服务
可定制OGS一片式电容屏,G+G电容屏,G+F电容屏,G+F+F电容屏,尺寸范围:1”~21”,单层产品厚度:0.55mm~2mm,可按客户要求在产品上附加防反射,防指纹,多色丝印,钻孔磨边,2.5D导圆角等工艺。
最小起订量: 1000 提交需求>
可定制B-Flon极细同轴线导体规格:AWG36~48,特性阻抗:50±5Ω,工作温度:-40~90℃,静电容量:105-120PF/m,减衰量:10MHZ:0.5-2.6db/m;100MHZ:1.6-4.2db/m,阻燃UL:VW-1规格。
最小起订量: 50000m 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论