【产品】诚芯微推出CX3419 P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有高功率和高电流处理能力
诚芯微推出的型号为CX3419的P沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
器件特征
RDS(ON)<13mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON)<9mΩ@VGS=-10V
器件具有高功率和高电流处理能力
无铅认证器件
表面贴装器件
器件应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有标注）
电气参数（TA=25℃，除非另有标注）
注：
1.表贴在FR4板，t≤10s；
2.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
3.由设计保证，不经过生产测试。
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