【产品】采用VDMOS芯片技术的功率MOSFET 7N65D,具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低等特点
MDD推出的MDD7N65D这款功率MOSFET,采用VDMOS芯片技术,具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低、卓越的开关特性和电容特性,可满足应用中各种频率、能效要求、EMI要求,广泛应用于中小功率开关电源电路中的PFC电路、开关电路、同步整流电路中,同时,采用TO-252的贴片封装技术,可满足客户端SMT自动化生产需求,也可减小应用端产品设计尺寸。因此,在中小功率的适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品中,均可发现这款MOSFET的身影。
产品特点
低导通电阻RDS(ON):1.2Ω(VGS=10V)
低栅极电荷Qg:28nc(Typ)
低输入结电容Ciss:1100PF
快速开关特性T(on)~T(off):200ns
100%雪崩测试
产品应用
中小功率的适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品。
规格参数
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电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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