【产品】采用VDMOS芯片技术的功率MOSFET 7N65D，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低等特点
MDD推出的MDD7N65D这款功率MOSFET，采用VDMOS芯片技术，具有高耐压、驱动功率小、导通电阻低、卓越的开关特性和电容特性，可满足应用中各种频率、能效要求、EMI要求，广泛应用于中小功率开关电源电路中的PFC电路、开关电路、同步整流电路中，同时，采用TO-252的贴片封装技术，可满足客户端SMT自动化生产需求，也可减小应用端产品设计尺寸。因此，在中小功率的适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品中，均可发现这款MOSFET的身影。
产品特点
低导通电阻RDS(ON)：1.2Ω（VGS=10V）
低栅极电荷Qg：28nc（Typ）
低输入结电容Ciss：1100PF
快速开关特性T(on)~T(off)：200ns
100%雪崩测试
产品应用
中小功率的适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品。
规格参数
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