【产品】德欧泰克新推N沟道增强型FET MMFTN3479KW，漏-源导通电阻典型值49mΩ
DIOTEC（德欧泰克）新推出的N沟道增强型FET：MMFTN3479KW，采用SOT-323外壳封装，器件栅极具有ESD保护能力，具有导通电阻低产品特性，器件符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定。
最大额定参数和电气特性方面，当TA=25℃时，该产品漏-源电压为20V，栅-源电压为±12V@DC，漏极电流为3.5A@DC，器件工作结温和存储温度范围宽至-55~+150℃，主要应用于信号处理应用，驱动器，逻辑电平转换器，商业级应用等领域。
产品封装及PIN脚图如下所示：
主要特征
低导通电阻
栅极具有ESD保护能力
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
信号处理应用
逻辑电平转换器
驱动器
商业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：3000/7”
重量约0.01g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=3级
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
电气特性（静态）
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孟 Lv5. 技术专家 2022-08-02学习 -
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EEric Lv7. 资深专家 2022-07-29赞 -
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zwjiang Lv9. 科学家 2022-07-24学习学习 -
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10531315世强 Lv7. 资深专家 2022-07-23学习 -
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AI时代 Lv7. 资深专家 2022-07-23不错 -
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赠尔一铃铛 Lv4. 资深工程师 2022-07-22学习 -
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阿尼古 Lv8. 研究员 2022-07-21感谢分享
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